[發明專利]一種抑制MAX相中A元素晶須生長的方法

有效

• 申請號: 202210047770.6
• 申請日: 2022-01-17
• 公開（公告）號: CN114478013B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 張培根;田志華;唐靜雯;孫正明;劉健
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C04B35/56
• 分類號: C04B35/56;C04B35/622;C04B41/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種抑制MAX相中A位元素晶須生長的方法，其特征在于，利用A’元素對MAX相中的A位進行固溶處理，得到MAX相固溶體；所述MAX相固溶體經過機械損傷處理后A’元素在MAX相表面形成氧化膜；

所述A’元素為Al、Si、Ir或Ge中的一種；所述A位 元素為Sn、In、Ga、Zn、Cd、Tl或Pb中的一種。

2.根據權利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶須生長的方法，其特征在于，所述A’元素在MAX相A位原子層中的濃度為5.0~99.9 at%。

3.根據權利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶須生長的方法，其特征在于，所述MAX相為Ti₂SnC、Zr₂SnC、Nb₂SnC、Lu₂SnC、Hf₂SnC、Hf₂SnN、Ti₃SnC₂、Ti₂InC、Ti₂InN、Zr₂InC、Zr₂InN、Nb₂InC、Hf₂InC、Sc₂InC、Ti₃InC₂、Ti₂GaC、Ti₂GaN、V₂GaC、V₂GaN、Cr₂GaC、Gr₂GaN、Nb₂GaC、Mo₂GaC、Ta₂GaC、Sc₂GaC、Ti₃GaC₃、Ti₂ZnC、Ti₂ZnN、V₂ZnC、Ti₃ZnC₂、Ti₂CdC、Ti₂TlC、Zr₂TlC、Zr₂TlN、Hf₂TlC、Sc₂TlC、Hf₂PbC、Ti₂PbC或Zr₂PbC中的一種。

4.根據權利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶須生長的方法，其特征在于，所述機械損傷的方式為斷裂、打磨、劃傷、拋光或球磨中的一種。

5.根據權利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶須生長的方法，其特征在于，所述MAX相固溶體經損傷處理后，抑制晶須生長的適用培養條件為：溫度范圍為低于MAX相的熱解溫度，濕度為0~100%。