[發明專利]存內計算單元、模塊和系統在審
| 申請號: | 202210046432.0 | 申請日: | 2022-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN114546332A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 楊展悌;蘇炳熏;葉甜春;朱紀軍;李彬鴻;羅軍;趙杰 | 申請(專利權)人: | 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;澳芯集成電路技術(廣東)有限公司 |
| 主分類號: | G06F7/544 | 分類號: | G06F7/544 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 成亞婷 |
| 地址: | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 計算 單元 模塊 系統 | ||
1.一種存內計算單元,其特征在于,所述存內計算單元包括:
存儲陣列,包含多個呈N行N列排布的存儲單元,位于第i行第j列的所述存儲單元記為Si,j;位于同一列的所述存儲單元中存儲的數據值相同;所述存儲陣列用于存儲N比特的第一數據;其中,N大于等于1,i大于等于1且小于等于N,j大于等于1且小于等于N;其中,所述存儲單元包括門控訪問元件和存儲元件,所述存儲單元的控制端為所述門控訪問元件的柵極;所述存儲單元的輸出端為所述門控訪問元件的漏極;
N條字線,所述字線用于輸入N比特的第二數據;位于同一行所述存儲單元的控制端經由同一條所述字線依次串接;
M個位線組,第k組位線記為位線組BLk,M等于2N-1,k大于等于1且小于等于M;
其中,當k大于等于1且小于等于N時,位線組BLk具有k條位線,k條所述位線分別連接至和存儲單元S1,k及存儲單元Sk,1位于同一直線上的各存儲單元的輸出端;
當k大于N且小于等于M時,位線組BLk具有2N-k條位線,2N-k條所述位線分別連接至和存儲單元Sk-N+1,N及存儲單元SN,k-N+1位于同一直線上的各存儲單元的輸出端。
2.根據權利要求1所述的存內計算單元,其特征在于,所述存儲單元包括易失性存儲器。
3.根據權利要求1所述的存內計算單元,其特征在于,所述門控訪問元件包括晶體管,所述存儲元件包括鎖存器。
4.根據權利要求3所述的存內計算單元,其特征在于,所述第一數據所述第二數據均為二進制數據,所述鎖存器用于存儲比特值0或1。
5.根據權利要求4所述的存內計算單元,其特征在于,當所述字線上的電壓大于等于預設電壓,則所述字線上的比特值為1,與所述字線串接的各個所述存儲單元的所述門控訪問元件導通;
當所述字線上的電壓小于所述預設電壓,則所述字線上的比特值為0,與所述字線串接的各個所述存儲單元的所述門控訪問元件關斷。
6.根據權利要求1-5任一項所述的存內計算單元,其特征在于,所述存內計算單元還包括:
M-2個比特編碼器,所述M-2個比特編碼器與第2至第M-1個位線組一一對應連接,所述比特編碼器用于將所述位線組的輸出信號進行編碼,以得到數字信號。
7.根據權利要求6所述的存內計算單元,其特征在于,所述存儲單元包括SRAM存儲器。
8.根據權利要求7所述的存內計算單元,其特征在于,所述存儲單元采用全耗盡絕緣體上硅工藝制備得到。
9.一種存內計算模塊,包括一個或多個權利要求1-8中任一項所述的存內計算單元。
10.一種存內計算系統,包括一個或多個權利要求9所述的存內計算模塊。
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