[發明專利]本地放大電路、數據讀出方法和存儲器

在審

• 申請號: 202210044983.3
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN116486853A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 汪瑛
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/12
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本公開涉及半導體電路設計領域，特別涉及一種本地放大電路、數據讀出方法和存儲器，包括：寫控制晶體管基于寫使能信號，將全局數據線連接至本地數據線；列選擇晶體管基于列選擇信號，將位線連接至本地數據線；第一控制PMOS管，柵極連接本地數據線，源極或漏極的其中一端連接全局數據線，另一端連接讀控制晶體管；第二控制PMOS管，柵極連接互補本地數據線，源極或漏極的其中一端連接互補全局數據線，另一端連接讀控制晶體管；預充電模塊，用于將本地數據線和互補本地數據線預充電至高電平；讀控制晶體管基于讀使能信號，將第一控制PMOS管和第二控制PMOS管與讀控制晶體管相連的端子上拉/下拉至預設電平，縮短列選擇信號和讀使能信號之間的時間間隔。

技術領域

本公開涉及半導體電路設計領域，特別涉及一種本地放大電路、數據讀出方法和存儲器。

背景技術

存儲器在進行數據讀出的過程中，數據依次由位線/互補位線傳輸至本地數據線/互補本地數據線，再傳輸至全局數據線/互補全局數據線，數據由本地數據線/互補本地數據線傳輸至全局數據線/互補全局數據線基于本地放大電路實現。

本地放大電路在進行讀操作時，需要等待數據從位線/互補位線傳輸至本地數據線/互補本地數據線，之后在提供讀使能信號，將數據進一步讀出至全局數據線/互補全局數據線；若數據未完全傳遞到本地數據線/互補本地數據線而提供讀使能信號，此時，本地數據線/互補本地數據線均為高電平，本地數據線/互補本地數據線會被同時放電，造成本地放大電路的讀取錯誤或造成不必要的功耗損失，而列選擇信號提供至讀使能信號提供的時間間隔會影響存儲器的性能。

因此，當下亟待設計一種信號的讀出電路，以縮短列選擇信號提供至讀使能信號提供的時間間隔，從而優化存儲器的性能。

發明內容

本公開實施例提供一種本地放大電路、數據讀出方法和存儲器，在數據讀出階段，縮短列選擇信號和讀使能信號之間的時間間隔，加快存儲器的數據讀出。

本公開實施例提供了一種本地放大電路，包括：寫控制晶體管，被配置為，基于寫使能信號，將全局數據線連接至本地數據線，并將互補全局數據線連接至互補本地數據線；列選擇晶體管，被配置為，基于列選擇信號，將位線連接至本地數據線，并將互補位線連接至互補本地數據線；第一控制PMOS管，柵極連接本地數據線，源極或漏極的其中一端連接全局數據線，另一端連接讀控制晶體管；第二控制PMOS管，柵極連接互補本地數據線，源極或漏極的其中一端連接互補全局數據線，另一端連接讀控制晶體管；預充電模塊，連接本地數據線和互補本地數據線，用于將本地數據線和互補本地數據線預充電至高電平；讀控制晶體管被配置為，基于讀使能信號，將第一控制PMOS管和第二控制PMOS管與讀控制晶體管相連的端子上拉/下拉至預設電平；預設電平與全局數據線和互補全局數據線的預充電電平相反。

基于本實施例提供的本地放大電路，通過預充電模塊將本地數據線和互補本地數據線預充電至高電平，高電平無法開啟第一控制PMOS管和第二控制PMOS管，在數據寫入階段，提供寫使能信號，全局數據線和互補全局數據線上的數據傳輸至本地數據線和互補本地數據線，由于讀控制晶體管無法導通，第一控制PMOS管和第二控制PMOS管的導通并不影響存儲器的數據寫入；在數據讀出階段，可以提前提供讀使能信號，此時由于第一控制PMOS管和第二控制PMOS管無法導通，并不影響存儲器的數據讀出，當提供列選擇信號后，位線和互補位線的數據被同步至本地數據線和互補本地數據線，第一控制PMOS管或第二控制PMOS管導通，從而導通相應的讀出通路，將本地數據線和互補本地數據線上的數據傳輸至全局數據線和互補全局數據線；從而實現在數據讀出階段，縮短列選擇信號和讀使能信號之間的時間間隔，加快存儲器的數據讀出。

另外，高電平由本地放大電路所屬存儲器的內部電源電壓提供。

另外，預充電模塊包括預充電MOS管，預充電MOS管的柵極用于接收預充電信號，源極或漏極的其中一端連接本地數據線和互補本地數據線，另一端用于接收內部電源電壓。