[發(fā)明專(zhuān)利]本地放大電路、數(shù)據(jù)讀出方法和存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210044983.3
• 申請(qǐng)日: 2022-01-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116486853A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪瑛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C7/10
• 分類(lèi)號(hào): G11C7/10;G11C7/12
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種本地放大電路，其特征在于，包括：

寫(xiě)控制晶體管，被配置為，基于寫(xiě)使能信號(hào)，將全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)連接至本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，并將互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)連接至互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)；

列選擇晶體管，被配置為，基于列選擇信號(hào)，將位線(xiàn)連接至所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，并將互補(bǔ)位線(xiàn)連接至所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)；

第一控制PMOS管，柵極連接所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，源極或漏極的其中一端連接所述全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)，另一端連接讀控制晶體管；

第二控制PMOS管，柵極連接所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，源極或漏極的其中一端連接所述互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)，另一端連接所述讀控制晶體管；

預(yù)充電模塊，連接所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，用于將所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)預(yù)充電至高電平；

所述讀控制晶體管被配置為，基于讀使能信號(hào)，將所述第一控制PMOS管和所述第二控制PMOS管與所述讀控制晶體管相連的端子上拉/下拉至預(yù)設(shè)電平；

所述預(yù)設(shè)電平與所述全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)的預(yù)充電電平相反。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述高電平由所述本地放大電路所屬存儲(chǔ)器的內(nèi)部電源電壓提供。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的本地放大電路，其特征在于，所述預(yù)充電模塊包括預(yù)充電MOS管，所述預(yù)充電MOS管的柵極用于接收預(yù)充電信號(hào)，源極或漏極的其中一端連接所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，另一端用于接收所述內(nèi)部電源電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)在數(shù)據(jù)讀出前被預(yù)充的預(yù)充電電平為低電平，所述預(yù)設(shè)電平為高電平。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)和所述互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)在數(shù)據(jù)讀出前被預(yù)充的預(yù)充電電平為高電平，所述預(yù)設(shè)電平為低電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述第一控制PMOS管和所述第二控制PMOS管的寬度設(shè)置為所述本地放大電路所采用的NMOS管標(biāo)準(zhǔn)寬度的兩倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述寫(xiě)控制晶體管包括：

第一寫(xiě)MOS管，柵極用于接收所述寫(xiě)使能信號(hào)，源極連接所述全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)；

第二寫(xiě)MOS管，柵極用于接收所述寫(xiě)使能信號(hào)，源極連接所述互補(bǔ)全局?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述列選擇晶體管包括：

第一列選擇MOS管，柵極用于接收所述列選擇信號(hào)，源極連接所述本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接所述位線(xiàn)；

第二列選擇MOS管，柵極用于接收所述列選擇信號(hào)，源極連接所述互補(bǔ)本地?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接所述互補(bǔ)位線(xiàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述讀控制晶體管包括：

第一讀MOS管，柵極用于接收所述讀使能信號(hào)，源極連接所述第一控制NMOS管，漏極用于接收所述高電平；

第二讀MOS管，柵極用于接收所述讀使能信號(hào)，源極連接所述第二控制NMOS管，漏極用于接收所述高電平。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的本地放大電路，其特征在于，所述第一讀MOS管和所述第二讀MOS管為PMOS。