[發明專利]本地放大電路、數據讀出方法和存儲器

在審

• 申請號: 202210044983.3
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN116486853A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 汪瑛
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/12
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種本地放大電路，其特征在于，包括：

寫控制晶體管，被配置為，基于寫使能信號，將全局數據線連接至本地數據線，并將互補全局數據線連接至互補本地數據線；

列選擇晶體管，被配置為，基于列選擇信號，將位線連接至所述本地數據線，并將互補位線連接至所述互補本地數據線；

第一控制PMOS管，柵極連接所述本地數據線，源極或漏極的其中一端連接所述全局數據線，另一端連接讀控制晶體管；

第二控制PMOS管，柵極連接所述互補本地數據線，源極或漏極的其中一端連接所述互補全局數據線，另一端連接所述讀控制晶體管；

預充電模塊，連接所述本地數據線和所述互補本地數據線，用于將所述本地數據線和所述互補本地數據線預充電至高電平；

所述讀控制晶體管被配置為，基于讀使能信號，將所述第一控制PMOS管和所述第二控制PMOS管與所述讀控制晶體管相連的端子上拉/下拉至預設電平；

所述預設電平與所述全局數據線和所述互補全局數據線的預充電電平相反。

2.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述高電平由所述本地放大電路所屬存儲器的內部電源電壓提供。

3.根據權利要求2所述的本地放大電路，其特征在于，所述預充電模塊包括預充電MOS管，所述預充電MOS管的柵極用于接收預充電信號，源極或漏極的其中一端連接所述本地數據線和所述互補本地數據線，另一端用于接收所述內部電源電壓。

4.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述全局數據線和所述互補全局數據線在數據讀出前被預充的預充電電平為低電平，所述預設電平為高電平。

5.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述全局數據線和所述互補全局數據線在數據讀出前被預充的預充電電平為高電平，所述預設電平為低電平。

6.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述第一控制PMOS管和所述第二控制PMOS管的寬度設置為所述本地放大電路所采用的NMOS管標準寬度的兩倍。

7.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述寫控制晶體管包括：

第一寫MOS管，柵極用于接收所述寫使能信號，源極連接所述全局數據線，漏極連接所述本地數據線；

第二寫MOS管，柵極用于接收所述寫使能信號，源極連接所述互補全局數據線，漏極連接所述互補本地數據線。

8.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述列選擇晶體管包括：

第一列選擇MOS管，柵極用于接收所述列選擇信號，源極連接所述本地數據線，漏極連接所述位線；

第二列選擇MOS管，柵極用于接收所述列選擇信號，源極連接所述互補本地數據線，漏極連接所述互補位線。

9.根據權利要求1所述的本地放大電路，其特征在于，所述讀控制晶體管包括：

第一讀MOS管，柵極用于接收所述讀使能信號，源極連接所述第一控制NMOS管，漏極用于接收所述高電平；

第二讀MOS管，柵極用于接收所述讀使能信號，源極連接所述第二控制NMOS管，漏極用于接收所述高電平。

10.根據權利要求9所述的本地放大電路，其特征在于，所述第一讀MOS管和所述第二讀MOS管為PMOS。