[發明專利]溝槽型晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 202210039022.3
• 申請日: 2022-01-13
• 公開（公告）號: CN114496796B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 魏峰;相奇;戴學春
• 申請（專利權）人: 廣東芯粵能半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 董琳

1.一種溝槽型晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成具有開口的掩膜層，沿所述開口刻蝕所述基底，形成第一溝槽；

在所述第一溝槽的內部表面形成柵介質材料層，所述柵介質材料層還覆蓋所述掩膜層表面；

刻蝕所述第一溝槽底部的柵介質材料層至暴露出所述第一溝槽的底部的基底，形成位于所述第一溝槽側壁的柵介質層；

以所述掩膜層及其側壁的柵介質層，共同作為刻蝕掩膜，繼續沿所述第一溝槽刻蝕所述基底，在所述第一溝槽底部形成第二溝槽，使得所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度；

形成覆蓋所述第二溝槽內壁表面、所述柵介質層表面的隔離材料層，采用各向異性刻蝕工藝，對所述隔離材料層進行刻蝕，對所述第二溝槽內的隔離材料層的刻蝕速率低于對所述基底表面以及所述第一溝槽內的隔離材料層的刻蝕速率，通過控制所述各向異性刻蝕工藝的刻蝕參數，使得在去除所述基底表面以及所述第一溝槽側壁的隔離材料后，依舊保留位于所述第二溝槽內壁的部分隔離材料，作為隔離層；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內填充柵極。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在形成所述第二溝槽后，去除所述掩膜層。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述柵介質層的厚度小于所述隔離層的厚度。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用沉積工藝形成所述柵介質材料層。

5.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述柵介質層的材料包括氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯以及氧化鑭中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用沉積工藝形成所述隔離材料層。

7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底表面處還形成有摻雜阱層和位于所述摻雜阱層內的源極摻雜區。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述摻雜阱層的深度小于等于所述第一溝槽的深度；所述源極摻雜區的深度小于所述摻雜阱的深度。

9.一種溝槽型晶體管，其特征在于，所述溝槽型晶體管采用權利要求1至8中任一項所述的形成方法所形成。