[發(fā)明專(zhuān)利]用于靜態(tài)時(shí)序分析的余量校正方法及余量校正系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210035250.3
• 申請(qǐng)日: 2022-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116484779A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳英杰;余美儷;羅幼嵐
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F30/3315
• 分類(lèi)號(hào): G06F30/3315
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁麗超

1.一種用于靜態(tài)時(shí)序分析的余量校正方法，包括：

測(cè)量具有一目標(biāo)電路的一待測(cè)芯片上的多個(gè)晶粒，以得到多個(gè)所述晶粒的關(guān)鍵路徑的多份性能數(shù)據(jù)；

取得分別用于模擬多個(gè)所述晶粒的性能的多份模擬數(shù)據(jù)；

執(zhí)行一靜態(tài)時(shí)序分析工具，以根據(jù)多份所述模擬數(shù)據(jù)對(duì)該目標(biāo)電路進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析以取得對(duì)應(yīng)多個(gè)所述晶粒的關(guān)鍵路徑的多個(gè)時(shí)序分析結(jié)果；

統(tǒng)計(jì)多個(gè)所述時(shí)序分析結(jié)果以得到一模擬制程參數(shù)；

統(tǒng)計(jì)多份所述性能數(shù)據(jù)以得到一測(cè)量制程參數(shù)；

建立一統(tǒng)計(jì)模型，所述統(tǒng)計(jì)模型定義一余量為該測(cè)量制程參數(shù)與該模擬制程參數(shù)之間的差值；

將多個(gè)所述時(shí)序分析結(jié)果及該測(cè)量制程參數(shù)代入該統(tǒng)計(jì)模型并執(zhí)行一模型擬合演算法，以針對(duì)一目標(biāo)模型進(jìn)行擬合，以得到該余量，其中，該目標(biāo)模型定義一第一函數(shù)與一第二函數(shù)相等，該第一函數(shù)為該測(cè)量制程參數(shù)的函數(shù)，該第二函數(shù)為該時(shí)序分析結(jié)果的函數(shù)；以及

執(zhí)行該靜態(tài)時(shí)序分析工具，以根據(jù)多份所述模擬數(shù)據(jù)及該余量對(duì)該目標(biāo)電路進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析，以取得對(duì)應(yīng)多個(gè)所述晶粒的多個(gè)校正后時(shí)序分析結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的余量校正方法，其中，測(cè)量多個(gè)所述晶粒以得到多份所述性能數(shù)據(jù)的步驟包括：

測(cè)量多個(gè)所述晶粒的操作頻率，以得到多個(gè)所述晶粒的多個(gè)測(cè)量最小通過(guò)頻率作為多份所述性能數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的余量校正方法，其中，取得對(duì)應(yīng)多個(gè)所述晶粒的多個(gè)所述時(shí)序分析結(jié)果的步驟包括：

針對(duì)該目標(biāo)電路進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析，以得到多個(gè)所述晶粒的多個(gè)設(shè)定時(shí)間；以及

將多個(gè)所述設(shè)定時(shí)間轉(zhuǎn)換為多個(gè)模擬最小通過(guò)頻率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的余量校正方法，其中，依據(jù)多份所述性能數(shù)據(jù)計(jì)算該測(cè)量制程參數(shù)的步驟包括：

將多份所述性能數(shù)據(jù)進(jìn)行平均，以得到一全局測(cè)量制程參數(shù)；以及

將對(duì)應(yīng)于具有成對(duì)設(shè)計(jì)關(guān)系的多個(gè)所述晶粒的多份所述性能數(shù)據(jù)取出，將具有成對(duì)設(shè)計(jì)的多份所述性能數(shù)據(jù)兩兩相減后計(jì)算變異數(shù)，并除以一統(tǒng)計(jì)系數(shù)以得到一區(qū)域測(cè)量制程參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的余量校正方法，其中，該統(tǒng)計(jì)系數(shù)為2^0.5。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的余量校正方法，其中，從多個(gè)所述時(shí)序分析結(jié)果取出該模擬制程參數(shù)的步驟包括：

將多個(gè)所述模擬最小通過(guò)頻率進(jìn)行平均，以得到一全局模擬制程參數(shù)；以及

將對(duì)應(yīng)于具有成對(duì)設(shè)計(jì)關(guān)系的多個(gè)所述晶粒的多個(gè)所述最小通過(guò)頻率取出，將取出的多個(gè)所述最小通過(guò)頻率中具有成對(duì)設(shè)計(jì)關(guān)系者兩兩相減后計(jì)算變異數(shù)，并除以該統(tǒng)計(jì)系數(shù)以得到一區(qū)域模擬制程參數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的余量校正方法，其中，建立該統(tǒng)計(jì)模型的步驟包括：

建立一第一統(tǒng)計(jì)模型，定義一全局余量為測(cè)量全局制程參數(shù)與模擬全局制程參數(shù)之間的差值；以及

建立一第二統(tǒng)計(jì)模型，定義一區(qū)域余量為測(cè)量區(qū)域制程參數(shù)與區(qū)域全局制程參數(shù)之間的差值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的余量校正方法，其中，該模型擬合演算法包括：

將測(cè)量全局制程參數(shù)及模擬全局制程參數(shù)代入一第一統(tǒng)計(jì)模型，以針對(duì)一第一目標(biāo)模型進(jìn)行擬合，以得到該全局余量，其中，該第一目標(biāo)模型定義一第三函數(shù)與一第四函數(shù)相等，該第三函數(shù)為該測(cè)量全局制程參數(shù)的函數(shù)，該第四函數(shù)為該模擬全局制程參數(shù)的函數(shù)；以及

將所述測(cè)量區(qū)域制程參數(shù)及模擬區(qū)域制程參數(shù)代入一第二統(tǒng)計(jì)模型，以針對(duì)一第二目標(biāo)模型進(jìn)行擬合，以得到該區(qū)域余量，其中，該第二目標(biāo)模型定義一第五函數(shù)與一第六函數(shù)相等，該第五函數(shù)為該測(cè)量區(qū)域制程參數(shù)的函數(shù)，該第六函數(shù)為該模擬區(qū)域制程參數(shù)的函數(shù)。