[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210027367.7
• 申請(qǐng)日: 2022-01-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114464545A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊挺立;蔡柏豪;鄭明達(dá);莊詠涵;王學(xué)圣
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/60;H01L23/528;H01L23/522
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

公開(kāi)了用于形成具有不同表面輪廓的凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)的方法和通過(guò)該方法形成的半導(dǎo)體器件。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包含：位于半導(dǎo)體襯底上方的第一再分布線和第二再分布線；位于第一再分布線和第二再分布線上方的第一鈍化層；位于第一再分布線上方并且電耦合到第一重布線的第一凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)，該第一UBM結(jié)構(gòu)延伸穿過(guò)第一鈍化層，該第一UBM結(jié)構(gòu)的頂面是凹面的；以及位于第二再分布線上方并且電耦合到第二再分布線的第二UBM結(jié)構(gòu)，該第二UBM結(jié)構(gòu)延伸穿過(guò)第一鈍化層，該第二UBM結(jié)構(gòu)的頂面是平坦的或凸起的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件用于各個(gè)電子應(yīng)用中，諸如，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積材料的絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層，以及使用光刻來(lái)圖案化各個(gè)材料層以在其上形成電路組件和元件。

半導(dǎo)體工業(yè)通過(guò)不斷減小最小部件尺寸來(lái)不斷提高各個(gè)電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許將更多組件集成至給定區(qū)域中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一再分布線和第二再分布線，位于半導(dǎo)體襯底上方；第一鈍化層，位于第一再分布線和第二再分布線上方；第一凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)，位于第一再分布線上方并且電耦合到第一再分布線，第一UBM結(jié)構(gòu)延伸穿過(guò)第一鈍化層，其中，第一UBM結(jié)構(gòu)的頂面是凹面的；以及第二UBM結(jié)構(gòu)，位于第二再分布線上方并且電耦合到第二再分布線，第二UBM結(jié)構(gòu)延伸穿過(guò)第一鈍化層，其中，第二UBM結(jié)構(gòu)的頂面是平坦的或凸起的。

本發(fā)明的另一些實(shí)施例提供了另一種半導(dǎo)體器件，包括：第一再分布線和第二再分布線，位于半導(dǎo)體襯底上方；第一凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)，位于第一再分布線上方并且電耦合到第一再分布線，其中，第一UBM結(jié)構(gòu)的頂面是凹面的，并且其中，第一UBM結(jié)構(gòu)具有第一寬度；以及第二UBM結(jié)構(gòu)，位于第二再分布線上方并且電耦合到第二再分布線，其中，第二UBM結(jié)構(gòu)的底面與第一UBM結(jié)構(gòu)的底面齊平，其中，第二UBM結(jié)構(gòu)具有小于第一寬度的第二寬度，并且其中，第二UBM結(jié)構(gòu)的頂面比第一UBM結(jié)構(gòu)的頂面凹得更少。

本發(fā)明的又一些實(shí)施例提供了一種方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上方形成第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件；在第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件上方沉積鈍化結(jié)構(gòu)；在鈍化結(jié)構(gòu)上方形成圖案化的光刻膠，圖案化的光刻膠包括位于第一導(dǎo)電部件上方的第一開(kāi)口以及位于第二導(dǎo)電部件上方的第二開(kāi)口；以及同時(shí)電鍍第一開(kāi)口中的第一凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)和第二開(kāi)口中的第二UBM結(jié)構(gòu)，其中，第一UBM結(jié)構(gòu)電耦合到第一導(dǎo)電部件，其中，第二UBM結(jié)構(gòu)電耦合到第二導(dǎo)電部件，并且其中，第一UBM結(jié)構(gòu)的表面輪廓不同于第二UBM結(jié)構(gòu)的表面輪廓。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖15是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造中的中間階段的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同部件的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包含第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包含在第一部件與第二部件之間可以形成附加的部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。