[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202210027367.7
• 申請日: 2022-01-11
• 公開（公告）號: CN114464545A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 楊挺立;蔡柏豪;鄭明達;莊詠涵;王學圣
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/528;H01L23/522
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一再分布線和第二再分布線，位于半導體襯底上方；

第一鈍化層，位于所述第一再分布線和所述第二再分布線上方；

第一凸塊下金屬(UBM)結構，位于所述第一再分布線上方并且電耦合到所述第一再分布線，所述第一UBM結構延伸穿過所述第一鈍化層，其中，所述第一UBM結構的頂面是凹面的；以及

第二UBM結構，位于所述第二再分布線上方并且電耦合到所述第二再分布線，所述第二UBM結構延伸穿過所述第一鈍化層，其中，所述第二UBM結構的頂面是平坦的或凸起的。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一UBM結構的第一寬度大于所述第二UBM結構的第二寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第一UBM結構包括延伸穿過所述第一鈍化層的通孔部分，并且其中，所述通孔部分的中心線與所述第一UBM結構的所述頂面的凹面的部分的中心線未對準。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第一UBM結構包括延伸穿過所述第一鈍化層的通孔部分，并且其中，所述通孔部分的寬度小于所述第一UBM結構的所述頂面的凹面的部分的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于所述第一鈍化層上方的聚合物層，所述第一UBM結構和所述第二UBM結構延伸穿過所述聚合物層，其中，所述第一UBM結構具有位于所述聚合物層上方的第一高度，其中，所述第二UBM結構具有位于所述聚合物層上方的第二高度，并且其中，所述第一高度與所述第二高度之間的差小于3μm。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一導電連接件，位于所述第一UBM結構上方，其中，所述第一UBM結構的頂面的上限設置在所述第一鈍化層的頂面上方的第一距離處；以及

第二導電連接件，位于所述第二UBM結構上方，其中，所述第二UBM結構的頂面的上限設置在所述第一鈍化層的所述頂面上方的第二距離處，并且其中，所述第一距離與所述第二距離之間的差小于4μm。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一UBM結構的所述頂面的上限與所述第二UBM結構的所述頂面的上限齊平。

8.一種半導體器件，包括：

第一再分布線和第二再分布線，位于半導體襯底上方；

第一凸塊下金屬(UBM)結構，位于所述第一再分布線上方并且電耦合到所述第一再分布線，其中，所述第一UBM結構的頂面是凹面的，并且其中，所述第一UBM結構具有第一寬度；以及

第二UBM結構，位于所述第二再分布線上方并且電耦合到所述第二再分布線，其中，所述第二UBM結構的底面與所述第一UBM結構的底面齊平，其中，所述第二UBM結構具有小于所述第一寬度的第二寬度，并且其中，所述第二UBM結構的頂面比所述第一UBM結構的所述頂面凹得更少。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第二UBM結構的所述頂面是平坦的。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底上方形成第一導電部件和第二導電部件；

在所述第一導電部件和所述第二導電部件上方沉積鈍化結構；

在所述鈍化結構上方形成圖案化的光刻膠，所述圖案化的光刻膠包括位于所述第一導電部件上方的第一開口以及位于所述第二導電部件上方的第二開口；以及

同時電鍍所述第一開口中的第一凸塊下金屬(UBM)結構和所述第二開口中的第二UBM結構，其中，所述第一UBM結構電耦合到所述第一導電部件，其中，所述第二UBM結構電耦合到所述第二導電部件，并且其中，所述第一UBM結構的表面輪廓不同于所述第二UBM結構的表面輪廓。