[發明專利]半導體器件和方法

在審

• 申請號: 202210021210.3
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN114520192A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 吳錫榮;余晟輔;蕭茹雄;盧穎新
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種半導體器件，包括：

從襯底延伸的多個鰭結構，所述多個鰭結構具有多個第一鰭結構和多個第二鰭結構；

多個隔離區域，位于所述襯底上并且被布置在所述多個鰭結構之間；

多個柵極結構，位于所述多個隔離區域上；

多個外延結構，位于所述多個第一鰭結構上；以及

多個接觸件結構，位于所述多個外延結構上，其中所述多個第一鰭結構、所述多個柵極結構、所述多個外延結構和所述多個接觸件結構是一個或多個諧振器的元件。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述一個或多個諧振器之一包括一個接觸件結構、一個外延結構和一個第一鰭結構。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述一個或多個諧振器之一包括一個接觸件結構、多個外延結構和多個第一鰭結構。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其中在所述多個第一鰭結構中的兩個第一鰭結構之間布置有所述多個第二鰭結構中的至少一個第二鰭結構。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中在所述多個第一鰭結構中的兩個第一鰭結構之間布置有多個第二鰭結構。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個柵極結構中的至少一個柵極結構在所述多個外延結構之間延伸，所述多個第二鰭結構和所述多個第一鰭結構以交替圖案布置，所述多個第二鰭結構中的至少一個第二鰭結構將所述多個第一鰭結構中的兩個第一鰭結構隔開。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中每個第一鰭結構包括從該第一鰭結構的頂部到該第一鰭結構的底部的梯度材料成分。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第一鰭結構中的一個第一鰭結構具有面向第一方向的第一側壁和面向第二方向的第二側壁，所述第二方向與所述第一方向相反，所述第一側壁與在所述第一方向上最近的鰭結構相隔第一距離，所述第二側壁與在所述第二方向上最近的鰭結構相隔第二距離，所述第二距離不同于所述第一距離。

9.一種半導體器件，包括：

襯底，具有第一表面和第二表面；

隔離結構，位于所述襯底的所述第一表面上方；

多個柵極結構，位于所述隔離結構上方；

諧振器，包括多個第一鰭結構、至少一個外延結構和接觸件結構，所述多個第一鰭結構位于所述襯底的所述第一表面上，所述至少一個外延結構位于所述第一鰭結構上，所述接觸件結構位于所述至少一個外延結構上；以及

至少一個第二鰭結構，位于所述襯底的所述第一表面上，并且所述至少一個第二鰭結構被布置在所述多個第一鰭結構中的兩個第一鰭結構之間，所述至少一個第二鰭結構沒有外延結構。

10.一種制備半導體器件的方法，包括：

形成從襯底延伸的多個鰭結構，所述鰭結構具有多個第一鰭結構和多個第二鰭結構；

形成多個隔離區域，所述多個隔離區域位于所述襯底上并且被布置在所述多個鰭結構之間；

在所述多個隔離區域上形成多個柵極結構；

在所述多個第一鰭結構上生長多個外延結構，所述多個第二鰭結構沒有外延結構；以及

在所述多個外延結構上形成多個接觸件結構，其中所述多個第一鰭結構、所述多個柵極結構、所述多個外延結構和所述多個接觸件結構是一個或多個諧振器的元件。