[發(fā)明專利]碳纖維的吸波材料的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210020310.4
• 申請(qǐng)日: 2022-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN114517406A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段思翼;石春放;段小燕;劉威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳鑫景源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): D06M11/83
• 分類號(hào): D06M11/83;D06M11/77;D06M11/74;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/34;H01Q17/00;D06M101/40
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何倚雯

1.一種碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，包括：

在真空鍍膜機(jī)的至少一鍍膜靶位上放置鍍膜靶材；所述鍍膜靶材作為形成吸波材料的濺射源，每一鍍膜靶材對(duì)應(yīng)于一鍍膜靶位；

將所述碳纖維本體放置到真空鍍膜機(jī)的鍍膜爐中；

將所述鍍膜爐抽真空至目標(biāo)鍍膜真空度，并將所述鍍膜爐內(nèi)溫度加熱至目標(biāo)溫度；

對(duì)所述鍍膜爐充入工作氣體；

對(duì)所述鍍膜靶位通工作電流及施加工作電壓，并對(duì)所述鍍膜靶位上的所述鍍膜靶材進(jìn)行粒子轟擊而濺鍍所述碳纖維本體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述鍍膜靶材包括硅靶材及至少一種非硅單質(zhì)且非碳單質(zhì)的吸波靶材；

在所述對(duì)所述鍍膜爐充入工作氣體之后，所述對(duì)所述鍍膜靶位通工作電流及施加工作電壓之前，所述方法還包括：

對(duì)所述鍍膜爐充入可電離出碳元素的反應(yīng)氣體；

所述對(duì)所述鍍膜靶位通工作電流及施加工作電壓，包括：

在硅靶材的鍍膜靶位通工作電流及施加工作電壓，直至在所述碳纖維本體的表面上濺鍍好碳化硅層；

在每一所述吸波靶材的鍍膜靶位依次通工作電流及施加工作電壓，直至在所述碳化硅層的外表面上濺鍍好對(duì)應(yīng)的吸波層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述鍍膜靶材包括硅靶材、石墨靶材及至少一種非硅單質(zhì)且非碳單質(zhì)的吸波靶材；

所述對(duì)所述鍍膜靶位通工作電流及施加工作電壓，包括：

在硅靶材和石墨靶材的鍍膜靶位同時(shí)通工作電流及施加工作電壓，直至在所述碳纖維本體的表面上濺鍍好碳化硅層；

在每一所述吸波靶材的鍍膜靶位依次通工作電流及施加工作電壓，直至在所述碳化硅層的外表面上濺鍍好對(duì)應(yīng)的吸波層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述非硅單質(zhì)且非碳單質(zhì)的吸波靶材包括碳化鎢、鎳、鋇或鐵氧體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，在所述在真空鍍膜機(jī)的至少一鍍膜靶位上放置鍍膜靶材之前，所述方法還包括：

對(duì)碳纖維本體進(jìn)行預(yù)處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述預(yù)處理包括：表面粗化處理及表面雜質(zhì)去除處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述表面粗化處理包括：

將碳纖維本體放入50－60攝氏度的濃硫酸溶液中浸泡50－80分鐘；

從濃硫酸溶液中取出所述碳纖維本體并用清水進(jìn)行清洗；

將所述碳纖維本體放入到常溫的飽和氫氧化鈉水溶液中浸泡10－15分鐘；

從飽和氫氧化鈉水溶液中取出所述碳纖維本體并用清水進(jìn)行清洗。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，所述表面雜質(zhì)去除處理包括：

將所述碳纖維本體浸泡在50-70攝氏度且0.5-2.5μs導(dǎo)電率的純水中并進(jìn)行超聲波清洗；

對(duì)所述碳纖維本體進(jìn)行烘干。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，在完成濺鍍所述碳纖維本體之后，所述方法還包括：

將所述鍍膜爐內(nèi)的氣壓恢復(fù)至大氣常壓并從中取出鍍膜后的碳纖維本體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維的吸波材料的制備方法，其特征在于，

所述工作氣體為氬氣；

抽真空后的所述鍍膜爐內(nèi)的本底真空度為5－7*10^-3Pa；

所述目標(biāo)鍍膜真空度為1－5*10^-1Pa；

所述目標(biāo)溫度為100－120攝氏度；

所述工作氣體的充氣速率為120－200SCCM；

所述工作電流10－30A，所述工作電壓為300－700V；

濺鍍后的所述碳纖維本體的表面上的所有吸波層的總厚度為50－500nm；

所述碳纖維本體在鍍膜爐中每分鐘的濺鍍長(zhǎng)度為0.5－3米；

所述鍍膜靶位為至少兩個(gè)，所述鍍膜靶材對(duì)應(yīng)為至少兩種，且每種鍍膜靶材的電磁吸波能力不同。