[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210019639.9
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN115911126A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 朝羽俊介;河野洋志;水上誠
• 申請（專利權）人: 東芝電子元件及存儲裝置株式會社;株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導體裝置，其中，具有：

碳化硅層，具有第1面和與所述第1面對置的第2面，并包含：

第1導電型的第1碳化硅區域，包含與所述第1面相接的第1區域；

第2導電型的第2碳化硅區域，設置于所述第1碳化硅區域與所述第1面之間；

第2導電型的第3碳化硅區域，設置于所述第2碳化硅區域與所述第1面之間，第2導電型雜質濃度比所述第2碳化硅區域的第2導電型雜質濃度高；和

第1導電型的第4碳化硅區域，設置于所述第2碳化硅區域與所述第1面之間，并與所述第1面相接；

第1柵極電極，設置于所述碳化硅層的所述第1面側，在與所述第1面平行的第1方向上延伸，在所述第1面與所述第2碳化硅區域對置；

第2柵極電極，設置于所述碳化硅層的所述第1面側，在所述第1方向上延伸，且相對于所述第1柵極電極而言設置在與所述第1面平行且與所述第1方向垂直的第2方向，在所述第1面與所述第2碳化硅區域對置；第1柵極絕緣層，設置于所述第2碳化硅區域與所述第1柵極電極之間；

第2柵極絕緣層，設置于所述第2碳化硅區域與所述第2柵極電極之間；

第1電極，設置于所述碳化硅層的所述第1面側，該第1電極包含第1部分和第2部分，該第1部分設置于所述第1柵極電極與所述第2柵極電極之間，與所述第3碳化硅區域及所述第4碳化硅區域相接，該第2部分設置于所述第1柵極電極與所述第2柵極電極之間，設置于所述第1部分的所述第1方向，與所述第1區域相接；以及

第2電極，設置于所述碳化硅層的所述第2面側。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具有：

第3柵極電極，設置于所述碳化硅層的所述第1面側，在所述第1方向上延伸，相對于所述第2柵極電極而言設置于所述第2方向，在與所述第1柵極電極之間設置有所述第2柵極電極；以及

第3柵極絕緣層，

所述碳化硅層包含：

第2導電型的第5碳化硅區域，設置于所述第1碳化硅區域與所述第1面之間，與所述第2碳化硅區域在所述第2方向上分離；

第2導電型的第6碳化硅區域，設置于所述第5碳化硅區域與所述第1面之間，第2導電型雜質濃度比所述第5碳化硅區域的第2導電型雜質濃度高；以及

第1導電型的第7碳化硅區域，設置于所述第5碳化硅區域與所述第1面之間，與所述第1面相接，

所述第2柵極電極在所述第1面與所述第5碳化硅區域對置，

所述第2柵極絕緣層設置于所述第5碳化硅區域與所述第2柵極電極之間，

所述第3柵極電極在所述第1面與所述第5碳化硅區域對置，

所述第3柵極絕緣層設置于所述第5碳化硅區域與所述第3柵極電極之間，

所述第1電極還包含第3部分，該第3部分設置于所述第2柵極電極與所述第3柵極電極之間，并與所述第6碳化硅區域及所述第7碳化硅區域相接，

所述第3部分位于所述第2部分的所述第2方向。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述第1碳化硅區域還包含與所述第1面相接的第2區域，

所述第1電極還包含第4部分，該第4部分設置于所述第2柵極電極與所述第3柵極電極之間，設置于所述第3部分的所述第1方向，并與所述第2區域相接。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第4碳化硅區域設置于所述第3碳化硅區域與所述第1面之間，所述第1部分與所述第3碳化硅區域的界面在與所述第1面垂直的第3方向上位于比所述第1面靠所述第2面側，所述第1部分在所述第2方向上與所述第4碳化硅區域相接。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1電極還包含金屬硅化物層，所述第1部分包含所述金屬硅化物層。