[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210018397.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114373722A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐嘉良 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓級(jí) 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 方法 | ||
1.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底上的鈍化層；
位于部分所述鈍化層上的種子層和位于所述種子層上的導(dǎo)線(xiàn)層，所述種子層側(cè)壁相對(duì)所述導(dǎo)線(xiàn)層側(cè)壁底部凹陷；
位于所述導(dǎo)線(xiàn)層表面和所述種子層側(cè)壁的保護(hù)層；
位于所述鈍化層表面的阻焊層，所述阻焊層還位于所述保護(hù)層表面。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層暴露出的所述鈍化層內(nèi)具有凹槽；所述阻焊層還位于所述凹槽內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度范圍為2μm至4μm。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層側(cè)壁相對(duì)所述導(dǎo)線(xiàn)層側(cè)壁底部凹陷的深度范圍為0.3μm至2μm。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層的厚度范圍為5μm至10μm；所述種子層的厚度范圍為1000A至4000A；所述導(dǎo)線(xiàn)層的厚度范圍為2μm至10μm；所述保護(hù)層的厚度范圍為2μm至4μm。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層的材料包括聚酰亞胺；所述種子層的材料包括鈦；所述導(dǎo)線(xiàn)層的材料包括銅；所述保護(hù)層的材料包括鎳、金中的一者或兩者。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線(xiàn)層側(cè)壁的延伸方向與所述襯底表面的法線(xiàn)方向之間的夾角范圍為25°至75°。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底包括功能器件層，所述襯底表面暴露出與所述功能器件層電聯(lián)接的焊墊，所述鈍化層暴露出所述焊墊；所述種子層還位于所述焊墊上。
9.一種晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成鈍化層；
在部分所述鈍化層表面形成種子層和位于所述種子層表面的導(dǎo)線(xiàn)層，所述種子層側(cè)壁相對(duì)于所述導(dǎo)線(xiàn)層側(cè)壁底部凹陷；
在形成所述種子層后，在所述導(dǎo)線(xiàn)層表面和所述種子層側(cè)壁形成保護(hù)層；
形成所述保護(hù)層后，在所述鈍化層表面形成阻焊層，所述阻焊層還位于所述保護(hù)層表面。
10.如權(quán)利要求9所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，還包括：在形成所述保護(hù)層后，且在形成所述阻焊層前，在所述保護(hù)層暴露出的所述鈍化層內(nèi)形成凹槽；所述阻焊層還位于所述凹槽內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述凹槽的形成工藝包括干法刻蝕工藝；所述干法刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體包括氧氣，功率范圍為500W至1000W，氣流量范圍為100sccm至200sccm，腔體壓力范圍為低于1mTorr，腔體溫度范圍為100℃至300℃。
12.如權(quán)利要求10所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述凹槽的深度范圍值為2μm至4μm。
13.如權(quán)利要求9所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述種子層和所述導(dǎo)線(xiàn)層的形成方法包括：在所述鈍化層表面形成種子材料層；在所述種子材料層表面形成導(dǎo)線(xiàn)材料層；在所述導(dǎo)線(xiàn)材料層表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出部分所述導(dǎo)線(xiàn)材料層表面；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述導(dǎo)線(xiàn)材料層和所述種子材料層，以所述導(dǎo)線(xiàn)材料層形成所述導(dǎo)線(xiàn)層，以所述種子材料層形成所述種子層；形成所述種子層后，去除所述掩膜層。
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