[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202210015011.1
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114783949A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 黃玉蓮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一通道層；

一柵極結構，包圍該通道層，其中該柵極結構包含：

一柵極介電層；及

一柵極電極，在該柵極介電層上；

一源極/漏極磊晶結構，相鄰于該柵極結構，并電性連接該通道層；以及

一柵極貫孔，在該柵極結構下，并接觸該柵極電極的一底表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該柵極貫孔穿透該通道層。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該柵極貫孔穿透該柵極結構的該柵極介電層。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包含：

一介電質蓋，在該柵極結構上，以使該柵極結構在該介電質蓋及該柵極貫孔之間。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該柵極貫孔為向上漸縮。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

形成一鰭片結構在一基材上，其中該鰭片結構包含交替堆疊的多個第一半導體層及多個第二半導體層；

沉積一隔離結構在該基材上；

形成一虛擬柵極結構在該鰭片結構上；

移除該鰭片結構未被該虛擬柵極結構覆蓋的一部分；

成長一源極/漏極磊晶結構在所述多個第二半導體層的多個剩余部分的一側；

以一金屬柵極結構取代該虛擬柵極結構及所述多個第一半導體層；

移除該基材，以暴露出該隔離結構的一底表面；

形成一開口在該隔離結構內，并暴露出該金屬柵極結構的一柵極電極；以及

形成一柵極貫孔在該開口內，以使該柵極貫孔連接至該金屬柵極結構，并嵌入該隔離結構內。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包含：

在形成該柵極貫孔之前，形成一間隙壁結構在該開口內。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包含：

形成一源極/漏極貫孔在該源極/漏極磊晶結構上；以及

在形成該柵極貫孔之前，形成一前側多層內連接結構在該源極/漏極貫孔上。

9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

形成一后側多層內連接結構在一載體基材上；

沉積一半導體層在該后側多層內連接結構上；

形成一第一貫孔在該半導體層內，并電性連接至該后側多層內連接結構；

圖案化該半導體層，以形成一半導體鰭片在該后側多層內連接結構上；

形成一柵極結構跨越該半導體鰭片，并電性連接至該第一貫孔；以及

成長一源極/漏極磊晶結構在該半導體鰭片上。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包含：

沉積一層間介電層在該后側多層內連接結構上；

形成一導電結構在該層間介電層內；以及

形成一第二貫孔在該半導體層內，以使該第一貫孔及該第二貫孔接觸該導電結構。