[發(fā)明專利]一種靜電放電保護(hù)電路、射頻芯片及電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210011621.4
• 申請日: 2022-01-06
• 公開（公告）號: CN114512475A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張瑜誠;沈昊宇;吳斌
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江科睿微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H03K19/003
• 代理公司: 北京眾達(dá)德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 查薇

1.一種靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，應(yīng)用于射頻芯片中，所述射頻芯片中還包括依次連接的功率放大器、變壓器、射頻開關(guān)以及射頻天線；

所述保護(hù)電路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件和第二MOS器件均包括源極、漏極、柵極、有源區(qū)襯底、外圍襯底以及設(shè)置在所述有源區(qū)襯底與所述外圍襯底之間的隔離區(qū)；

所述第一MOS器件的源極與漏極短接并與所述第二MOS器件的有源區(qū)襯底連接，所述第二MOS器件的源極與漏極短接并與所述第一MOS器件的有源區(qū)襯底連接，所述第一MOS器件的有源區(qū)襯底與所述射頻天線連接，所述第二MOS器件的有源區(qū)襯底與所述射頻開關(guān)的輸入端連接；

所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件的外圍襯底均接地，所述第一MOS器件的柵極以及隔離區(qū)均與電源端連接，所述第二MOS器件的柵極以及隔離區(qū)均與電源端連接。

2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，包括：所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件均為深N阱NMOS器件。

3.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，包括：所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件均為深P阱PMOS器件。

4.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述保護(hù)電路還包括：第一濾波電阻、第二濾波電阻以及第三濾波電阻；

所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件的外圍襯底均通過所述第一濾波電阻接地，所述第一MOS器件的柵極以及隔離區(qū)均通過所述第二濾波電阻與電源端連接，所述第二MOS器件的柵極以及隔離區(qū)均通過所述第三濾波電阻與電源端連接。

5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第一濾波電阻、第二濾波電阻以及第三濾波電阻的阻值處于20K-30K歐姆之間。

6.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述電源端的電壓為3.3V。

7.一種射頻芯片，其特征在于，包括功率放大器、變壓器、射頻開關(guān)、射頻天線以及如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的靜電放電保護(hù)電路；

所述功率放大器的輸出端與所述變壓器的輸入端連接，所述變壓器的第一輸出端與所述射頻開關(guān)的輸入端連接，第二輸出端接地，所述射頻開關(guān)的輸出端與所述射頻天線連接，所述靜電放電保護(hù)電路的一端與所述射頻芯片的輸入端連接，所述靜電放電保護(hù)電路的另一端與所述射頻天線連接。

8.如權(quán)利要求7所述的射頻芯片，其特征在于，所述射頻芯片中變壓器的電壓等級處于2K-10K伏之間。

9.如權(quán)利要求7所述的射頻芯片，其特征在于，所述射頻芯片還包括：低噪聲放大器，所述低噪聲放大器與所述射頻天線連接。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：如權(quán)利要求7-9中所述的射頻芯片。