[發明專利]微電子密封件內的屏障結構

在審

• 申請號: 202210007981.7
• 申請日: 2022-01-06
• 公開（公告）號: CN114715838A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: J·L·霍姆;S·J·雅各布斯;M·A·D·羅比;K·A·舒克;K·J·泰勒
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

本申請公開了微電子密封件內的屏障結構。一種器件(100)包括第一襯底(114)。所述器件(100)還包括在所述第一襯底(114)上的包括金屬層(120)的屏障結構(106)，其中所述屏障結構(106)形成腔室(102)。所述器件(100)還包括在所述金屬層(120)上的第二襯底，其中所述金屬層(120)在所述第一襯底(114)和所述第二襯底之間延伸，并且其中所述金屬層(120)包括在所述腔室(102)內接觸所述第一襯底(114)的傾斜邊緣。

相關申請的交叉引用

本申請要求美國臨時專利申請號63/134,655的優先權，該專利申請在2021年1月7日提交，名稱為“Physical Barrier Structure Formed Within A MicroelectronicEnclosure”，并且由此通過引用以其整體并入本文。

背景技術

半導體器件使用各種液體或蒸氣材料來制造。成品半導體器件還可在器件內具有不同劃定區域，這些區域都在密封體積內。在制造期間，液體或蒸氣材料可在半導體器件的不同劃定區域中移動。

發明內容

根據本說明書的至少一個示例，一種方法包括在第一襯底的至少一部分上施加介電材料。所述方法還包括在所述第一襯底的所述至少一部分上沉積籽晶金屬。所述方法還包括在籽晶金屬上沉積鍍覆光致抗蝕劑。所述方法還包括在所述籽晶金屬上鍍覆金屬線，其中所述鍍覆光致抗蝕劑形成所述金屬線的邊界，并且其中所述金屬線形成屏障結構的至少一部分。所述方法還包括剝離所述鍍覆光致抗蝕劑的至少一部分并蝕刻所述籽晶金屬的至少一部分。所述方法還包括相對于所述屏障結構定位第二襯底以形成腔室。

根據本說明書的至少一個示例，一種器件包括第一襯底。所述器件還包括屏障結構，所述屏障結構包括位于所述第一襯底上的金屬層，其中所述屏障結構形成腔室。所述器件還包括第二襯底，所述第二襯底位于所述金屬層上，其中所述金屬層在所述第一襯底和所述第二襯底之間延伸，并且其中所述金屬層包括在所述腔室內接觸所述第一襯底的傾斜邊緣。

根據本說明書的至少一個示例，一種器件包括半導體器件，所述半導體器件位于第一襯底上。所述器件還包括籽晶金屬，所述籽晶金屬位于所述第一襯底上。所述器件還包括金屬線，所述金屬線位于所述籽晶金屬上。所述器件還包括一個或多個金屬層，所述一個或多個金屬層堆疊在所述金屬線上，其中第二襯底定位在所述一個或多個金屬層中的至少一者上方，所述第二襯底覆蓋所述半導體器件。所述器件還包括屏障結構，所述屏障結構包括所述金屬線，其中所述屏障結構在所述第一襯底和所述第二襯底之間延伸以形成所述半導體器件位于其中的腔室，并且其中所述屏障結構包括傾斜邊緣，所述第一襯底接觸所述傾斜邊緣的一端。

附圖說明

圖1A是根據各種示例的具有屏障結構的器件。

圖1B是根據各種示例的具有屏障結構的器件。

圖2是根據各種示例的屏障結構的放大視圖。

圖3A-圖3E示出了根據各種示例的用于產生屏障結構的過程流程。

圖4是根據各種示例的具有屏障結構的器件和不具有屏障結構的器件的缺陷計數的曲線圖。

圖5是根據各種示例的用于產生屏障結構的方法的流程圖。

具體實施方式

在一些半導體器件中，在制造期間，液體或蒸氣材料在器件的不同區域之間的轉移可引起可損壞器件的化學相互作用。例如，半導體器件可具有經由氧化物層和各種金屬層來彼此耦接的兩個晶片。在半導體器件的制造期間使用的化學物質可與金屬層相互作用并產生不期望的污染物。一種此類污染物是與銦反應而引起的銦鹽。這種污染物可在制造期間或之后損壞半導體器件并且導致可靠性問題。