[發明專利]微電子密封件內的屏障結構

在審

• 申請號: 202210007981.7
• 申請日: 2022-01-06
• 公開（公告）號: CN114715838A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: J·L·霍姆;S·J·雅各布斯;M·A·D·羅比;K·A·舒克;K·J·泰勒
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

1.一種方法，其包括：

在第一襯底的至少一部分上施加介電材料；

在所述第一襯底的所述至少一部分上沉積籽晶金屬；

在所述籽晶金屬上沉積鍍覆光致抗蝕劑；

在所述籽晶金屬上鍍覆金屬線，其中所述鍍覆光致抗蝕劑形成所述金屬線的邊界，并且其中所述金屬線形成屏障結構的至少一部分；

剝離所述鍍覆光致抗蝕劑的至少一部分并蝕刻所述籽晶金屬的至少一部分；以及

相對于所述屏障結構定位第二襯底以形成腔室。

2.根據權利要求1所述的方法，其中半導體器件定位在所述腔室內。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在蝕刻所述籽晶金屬的所述部分之后，移除所述介電材料的一部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二襯底包括硅晶片。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二襯底包括玻璃晶片。

6.根據權利要求1所述的方法，其中定位所述第二襯底包括：

定位所述第二襯底以使得所述第二襯底和所述屏障結構通過小于1微米的間隙分開。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述屏障結構具有帶45度或更小的斜率的邊緣。

8.一種器件，其包括：

第一襯底；

屏障結構，所述屏障結構包括位于所述第一襯底上的金屬層，其中所述屏障結構形成腔室；以及

第二襯底，所述第二襯底位于所述金屬層上，其中所述金屬層在所述第一襯底和所述第二襯底之間延伸，并且其中所述金屬層包括在所述腔室內接觸所述第一襯底的傾斜邊緣。

9.根據權利要求8所述的器件，其中所述第二襯底是包括窗口的玻璃晶片。

10.根據權利要求8所述的器件，還包括在所述金屬層上的銦層。

11.根據權利要求8所述的器件，其中所述金屬層包括鈦-銅籽晶金屬和鍍覆鍵合線，并且具有介于5.5微米和6.5微米之間的厚度。

12.根據權利要求11所述的器件，其中所述鈦-銅籽晶金屬的厚度介于0.2微米和0.3微米之間。

13.根據權利要求8所述的器件，其中所述傾斜邊緣包括45度或更小的斜率。

14.根據權利要求8所述的器件，其中所述金屬層和所述第二襯底通過小于1微米的間隙分開。

15.根據權利要求8所述的器件，其還包括：

半導體器件，所述半導體器件位于所述第一襯底上。

16.一種器件，其包括：

半導體器件，所述半導體器件位于第一襯底上；

籽晶金屬，所述籽晶金屬位于所述第一襯底上；

金屬線，所述金屬線位于所述籽晶金屬上；

一個或多個金屬層，所述一個或多個金屬層堆疊在所述金屬線上，其中第二襯底定位在所述一個或多個金屬層中的至少一者上方，所述第二襯底覆蓋所述半導體器件；以及

屏障結構，所述屏障結構包括所述金屬線，其中所述屏障結構在所述第一襯底和所述第二襯底之間延伸以形成所述半導體器件位于其中的腔室，并且其中所述屏障結構包括傾斜邊緣，所述第一襯底接觸所述傾斜邊緣的一端。

17.根據權利要求16所述的器件，其中所述半導體器件是數字微鏡器件。

18.根據權利要求16所述的器件，其中所述傾斜邊緣包括45度或更小的斜率。