[發明專利]一種高純硝酸的連續生產方法有效
| 申請號: | 202210003433.7 | 申請日: | 2022-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN114014282B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發明(設計)人: | 王濤;王升高;徐慢;熊禮威;王簫;張雪梅 | 申請(專利權)人: | 蘇州香榭軒表面工程技術咨詢有限公司 |
| 主分類號: | C01B21/46 | 分類號: | C01B21/46 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;向亞蘭 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高純 硝酸 連續生產 方法 | ||
本發明公開了一種高純硝酸的連續生產方法,該生產方法為采用循環載氣方法進行提純工業硝酸,該循環載氣方法為利用不同溫度下硝酸的飽和蒸汽壓不同,將載氣氣體鼓入硝酸物料中,獲得硝酸飽和的混合氣,而后在換熱器中降溫,實現硝酸的過飽和析出,進而實現硝酸物料的傳輸與提純工作,載氣氣體在工藝中循環使用。采用本發明工藝制備的超高純硝酸各單項金屬離子含量低于10ppt,除硝酸根外,各單項陰離子小于50ppb。與已有方法相比,本發明工藝和設備簡單,生產效率高,產品質量穩定,能耗低,產品滿足甚至超過SEMI C12標準的要求,可用于高集成度芯片的清洗和刻蝕。
技術領域
本發明涉及超純高凈電子化學品的制備方法,具體涉及一種高純硝酸的生產方法。
背景技術
隨著我國電子工業快速發展,芯片制造水平迅猛提升,國際半導體設備材料產業協會制定更苛刻的SEMI C12標準。作為芯片制造的關鍵性技術材料——超純高凈電子化學品的技術要求逐步提升,電子化學品的純凈度直接影響芯片的電性能、成品率和可靠性。硝酸作為一種具有氧化性的強酸,可以去除大部分金屬、金屬氧化物以及有機物,被大量用于芯片的清洗和蝕刻。
目前,國內生產廠商采用精餾法、樹脂過濾、濾膜過濾等工藝降低硝酸原料中金屬含量,產品符合SEMI C8標準。采用上述生產工藝,操作工藝復雜,難以控制生產質量進而難以獲得穩定性產品。隨著IC存貯容量逐步增大,作為絕緣層的氧化膜變得更薄,電子化學品種中的堿金屬雜質會溶入氧化膜中,從而導致絕緣電壓降低;重金屬雜質會附著在硅晶片表面上并使P-N結耐電壓降低。對不同線寬的IC工藝技術,需配套不同級別的高純電子化學試劑。
現有技術中,生產超高純的硝酸的工藝主要是工業硝酸精餾法。該精餾法需要把工業硝酸物料加熱到約120℃。該方法存在的問題包括:第一,硝酸有遇熱分解、遇光分解的特性,因此,需要采取進一步的吹白工藝,工藝比較復雜,同時還導致大量含氮廢氣排放;第二,需要高溫加熱、能耗高;第三,硝酸具有強腐蝕性,符合高溫下加熱硝酸要求的加熱器的技術要求非常高,因而制作成本高。總之,現有的方法不利于節能減排,與國家倡導的綠色節能環保政策相違背,同時設備要求高,不適于推廣應用。
有專利文獻提出,將試劑原料與載氣分別加熱到原料的沸點以下2-30℃,在相對較低的溫度下使原料被蒸發,之后,原料蒸汽與載氣一起進入冷凝器,原料蒸汽被冷凝,獲得產品。但是,該方法對于溫度的降低程度較小,能耗仍然高,對于設備的要求沒有降低,同時,也仍然存在廢氣排放問題。而且該方法只獲得了符合SEMI C8標準的產品。
發明內容
本發明所要解決的問題是克服現有技術的不足,提供一種設備要求降低、節能、廢氣排放減少、生產效率提高、適于推廣與應用的高純硝酸的連續生產方法。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案是:
一種高純硝酸的連續生產方法,所述高純硝酸中,各項金屬陽離子質量含量在10ppt以下,除硝酸根外,各項陰離子質量含量在50ppb以下,所述生產方法以工業硝酸為原料,其中,所述生產方法為采用循環載氣方法進行提純所述工業硝酸,所述循環載氣方法包括如下工序:
工序(1):采用載氣加熱器對載氣進行加熱;
工序(2):將加熱后的載氣鼓入所述工業硝酸中使硝酸蒸發,獲得硝酸飽和的混合氣,然后使硝酸飽和的混合氣通過填料,去除工業級硝酸飛沫;
工序(3):使經工序(2)處理后的硝酸飽和的混合氣通過一級換熱器進行冷卻,部分硝酸將過飽和析出,析出的硝酸經所述填料的表面回流至所述工業硝酸中;
工序(4):將經工序(3)處理后剩下的硝酸飽和的混合氣通過二級換熱器進行冷卻,使所述混合氣中的硝酸過飽和析出,得到純化的硝酸;
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