[發(fā)明專利]一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210003002.0
• 申請日: 2022-01-04
• 公開（公告）號: CN114289900A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林小越
• 申請（專利權(quán)）人: 林小越
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;B23K37/04;B23K26/08
• 代理公司: 安徽智鼎華誠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34242
• 代理人: 張莉

本發(fā)明公開了一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法，其中，步驟二所述的激光切割設(shè)備中包括加工箱，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制作技術(shù)領(lǐng)域。該基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法，通過設(shè)置有切割半徑調(diào)節(jié)機構(gòu)，利用手搖單元實現(xiàn)第一轉(zhuǎn)軸和螺紋桿的轉(zhuǎn)動，以此帶動了移動塊下方的激光發(fā)生器移動，并且利用手搖單元實現(xiàn)第二轉(zhuǎn)軸和第三轉(zhuǎn)軸之間的嚙合傳動，同步帶動第一轉(zhuǎn)軸的嚙合轉(zhuǎn)動，從而對晶圓所需切割的半徑進行調(diào)節(jié)，并實現(xiàn)對數(shù)值調(diào)節(jié)的精準(zhǔn)化操作，以此提高切割后工件的尺寸精度，同時利用定位組件中的定位塊與測量塊上的卡槽進行卡接，實現(xiàn)調(diào)節(jié)后移動塊的固定，避免離心力造成其發(fā)生偏移的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制作領(lǐng)域，具體為一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法。

背景技術(shù)

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點。

現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片在進行制作前，對于晶圓的加工還存在以下問題：

1、由于對于晶圓的尺寸要求不一致，而往往在對晶圓的切割尺寸無法進行調(diào)節(jié)，即使調(diào)節(jié)后，對于尺寸的精確度也存在無法精確的問題，同時精確后的尺寸在轉(zhuǎn)動時容易受到離心力的影響導(dǎo)致位置發(fā)生偏移；

2、在對晶圓加工時，會存在因為晶圓未進行限位夾緊致使產(chǎn)品發(fā)生偏移的問題；

3、加工后的晶圓在進行切割后，落入到晶圓槽中不方便進行取出的問題。

為此，本發(fā)明提供了一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法，解決了現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片在晶圓進行加工時，存在切割尺寸無法進行調(diào)節(jié)，即使調(diào)節(jié)后，對于尺寸的精確度也存在無法精確的問題，以及容易受到離心力造成偏移，同時加工時，未對產(chǎn)品夾緊容易發(fā)生偏移的問題，而且加工后的產(chǎn)品不方便取出的問題。

為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)：一種基于半導(dǎo)體芯片制作用晶圓激光切割方法，具體包括以下步驟：

步驟一：晶棒取材：首先選取一根大于所需晶體直徑的晶棒，將其裁切成多個晶圓片；

步驟二：晶圓切割：此時將晶圓放置在加工箱上進行固定，利用激光切割設(shè)備對晶圓進行加工；

步驟三：晶圓精加工：對切割后的晶圓進行外徑研磨、切片、圓邊、表層研磨、蝕刻、去疵、拋光、清洗、檢驗和包裝的操作；