[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210001669.7
• 申請日: 2022-01-04
• 公開（公告）號: CN115084216A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

提供能夠提高耐壓的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具有第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域和第3半導(dǎo)體區(qū)域、第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域、構(gòu)造體、柵極電極及高電阻部。第2半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置于第1半導(dǎo)體區(qū)域之上。第3半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置于第2半導(dǎo)體區(qū)域之上。構(gòu)造體的絕緣部與第1半導(dǎo)體區(qū)域的一部分、第2半導(dǎo)體區(qū)域及第3半導(dǎo)體區(qū)域并排。構(gòu)造體的導(dǎo)電部設(shè)置于絕緣部中，具有與第1半導(dǎo)體區(qū)域?qū)χ玫牟糠帧艠O電極與第2半導(dǎo)體區(qū)域?qū)χ?。高電阻部的電阻比?半導(dǎo)體區(qū)域高。構(gòu)造體沿第2、第3方向設(shè)置多個。多個構(gòu)造體具有第1～第3構(gòu)造體。高電阻部在第1方向上與假想圓的圓心重疊，該假想圓穿過第1、第2及第3構(gòu)造體各自的第2方向及第3方向上的中心。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

縱向型的Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFE T)等半導(dǎo)體裝置被使用于電力變換等用途。關(guān)于該半導(dǎo)體裝置，要求耐壓的提高。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2020-47742號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供能夠提高耐壓的半導(dǎo)體裝置。

用于解決技術(shù)問題的手段

實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置具有第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域、第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域、第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域、構(gòu)造體、柵極電極和高電阻部。所述第2半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之上。所述第3半導(dǎo)體區(qū)域選擇性地設(shè)置于所述第2半導(dǎo)體區(qū)域之上。所述構(gòu)造體具有絕緣部和導(dǎo)電部。所述絕緣部在與從所述第1半導(dǎo)體區(qū)域朝向所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的第1方向垂直的第2方向和與所述第1方向垂直并與所述第2方向交叉的第3方向上，與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域的一部分、所述第2半導(dǎo)體區(qū)域及所述第3半導(dǎo)體區(qū)域并排。所述導(dǎo)電部設(shè)置于所述絕緣部中，具有在所述第2方向及所述第3方向上與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域?qū)χ玫牟糠帧Ｋ鰱艠O電極在所述第2方向及所述第3方向上與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域?qū)χ?。所述高電阻部設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體區(qū)域中，電阻比所述第1半導(dǎo)體區(qū)域高。所述構(gòu)造體沿所述第2方向及所述第3方向設(shè)置有多個。多個所述構(gòu)造體具有所述第1構(gòu)造體、第2構(gòu)造體和第3構(gòu)造體。所述第2構(gòu)造體在所述第2方向上與所述第1構(gòu)造體相鄰。所述第3構(gòu)造體在所述第3方向上與所述第1構(gòu)造體相鄰。所述高電阻部在所述第1方向上與假想圓的圓心重疊，該假想圓穿過所述第1構(gòu)造體、所述第2構(gòu)造體及所述第3構(gòu)造體各自的所述第2方向及所述第3方向上的中心。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分的俯視圖。

圖2是圖1的II－II剖視圖。

圖3是表示第2實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分的俯視圖。

圖4是圖3的IV-IV剖視圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發(fā)明的各實施方式進行說明。

附圖是示意性或者概念性的附圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小的比率等并不限于與現(xiàn)實的情況相同。即使在表示相同部分的情況下，有時根據(jù)附圖而彼此的尺寸、比率也不同地表示。

在本申請說明書和各圖中，對與已經(jīng)說明的要素相同的要素標注同一附圖標記而適當(dāng)省略詳細的說明。