[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210001669.7
• 申請日: 2022-01-04
• 公開（公告）號: CN115084216A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導體裝置，其中，具備：

第1導電型的第1半導體區域；

第2導電型的第2半導體區域，設置于所述第1半導體區域之上；

第1導電型的第3半導體區域，選擇性地設置于所述第2半導體區域之上；

構造體，具有絕緣部和導電部，該絕緣部在與從所述第1半導體區域朝向所述第2半導體區域的第1方向垂直的第2方向上和與所述第1方向垂直且與所述第2方向交叉的第3方向上，與所述第1半導體區域的一部分、所述第2半導體區域及所述第3半導體區域并排，該導電部設置于所述絕緣部中，具有在所述第2方向及所述第3方向上與所述第1半導體區域對置的部分；

柵極電極，在所述第2方向及所述第3方向上與所述第2半導體區域對置；以及

高電阻部，設置于所述第1半導體區域中，電阻高于所述第1半導體區域，

所述構造體沿所述第2方向及所述第3方向設置多個，

多個所述構造體具有第1構造體、在所述第2方向上與所述第1構造體相鄰的第2構造體和在所述第3方向上與所述第1構造體相鄰的第3構造體，

所述高電阻部在所述第1方向上與假想圓的圓心重疊，該假想圓穿過所述第1構造體、所述第2構造體及所述第3構造體各自的所述第2方向及所述第3方向上的中心。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1構造體、所述第2構造體及所述第3構造體在沿所述第1方向觀察時被配置為正三角形，

沿所述第2方向及所述第3方向的平面中的所述高電阻部的剖面形狀是以所述圓心為中心的正三角形。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述構造體的形狀在沿所述第1方向觀察時是六邊形。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

多個所述構造體還具有第4構造體，該第4構造體在所述第2方向上與所述第3構造體相鄰，在所述第3方向上與所述第2構造體相鄰，

所述第1構造體、所述第2構造體、所述第3構造體及所述第4構造體在沿所述第1方向觀察時被配置為正方形，

沿所述第2方向及所述第3方向的平面中的所述高電阻部的剖面形狀是以所述圓心為中心且在所述第2方向及所述第3方向上延伸的十字形狀。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述構造體的形狀在沿所述第1方向觀察時是四邊形。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述高電阻部包含絕緣材料。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述高電阻部包含氧化硅及氮化硅中的至少一種。

8.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述高電阻部包含半導體材料，

所述高電阻部所包含的雜質的濃度低于所述第1半導體區域所包含的雜質的濃度。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述高電阻部包含硅及硅鍺中的至少一種。