[發明專利]高頻模塊和通信裝置

在審

• 申請號: 202180073723.2
• 申請日: 2021-11-11
• 公開（公告）號: CN116508147A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 山口幸哉;播磨史生;上島孝紀;竹松佑二;吉見俊二;荒屋敷聰;佐俁充則;后藤聰;青池將之
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;嚴美善

高頻模塊(1A)具備：模塊基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，該第一基材的至少一部分由第一半導體材料構成，在該第一基材形成有電子電路；第二基材(20)，該第二基材的至少一部分由熱導率比第一半導體材料的熱導率低的第二半導體材料構成，在該第二基材形成有放大電路；以及外部連接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一側，第二基材(20)配置于模塊基板(80)與第一基材(10)之間，第二基材(20)與第一基材(10)接合，第二基材經由電極(23)來與主面(80b)連接。

技術領域

本發明涉及一種高頻模塊和通信裝置。

背景技術

在專利文獻1中公開了具有如下結構的半導體模塊：構成功率放大器(放大器)的半導體芯片配置于布線基板的下表面。由此，能夠在布線基板的兩面配置電子部件，因此能夠小型化。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-40602號公報

發明內容

發明要解決的問題

在專利文獻1所公開的半導體模塊中，放大器由以GaAs為材料的晶體管構成。

然而，在用熱導率低的材料、如GaAs形成放大器的晶體管的情況下，存在如下問題：放大器的散熱性低，因此動作溫度會上升而使放大特性劣化。另外，存在如下問題：為了抑制溫度上升，必須確保散熱面積大，從而無法使半導體模塊充分地小型化。

本發明是為了解決上述課題而完成的，目的在于提供一種散熱性優異的小型的高頻模塊和通信裝置。

用于解決問題的方案

本發明的一個方式所涉及的高頻模塊具備：模塊基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由第一半導體材料構成，在第一基材形成有電子電路；第二基材，第二基材的至少一部分由熱導率比第一半導體材料的熱導率低的第二半導體材料構成，在第二基材形成有放大電路；以及外部連接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一側，第二基材配置于模塊基板與第一基材之間，第二基材與第一基材接合，第二基材經由第一電極來與第二主面連接。

另外，本發明的一個方式所涉及的高頻模塊具備：模塊基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由硅構成，在第一基材形成有電子電路；第二基材，第二基材的至少一部分由砷化鎵構成，在第二基材形成有放大電路；以及外部連接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一側，第二基材配置于模塊基板與第一基材之間，第二基材與第一基材接合，第二基材經由第一電極來與第二主面連接。

發明的效果

根據本發明，能夠提供散熱性優異的小型的高頻模塊和通信裝置。

附圖說明

圖1是實施方式所涉及的高頻模塊和通信裝置的電路結構圖。

圖2是實施例所涉及的高頻模塊的平面結構概要圖。

圖3是實施例所涉及的高頻模塊的截面結構概要圖。

圖4是實施例所涉及的第一基材的截面結構圖。

圖5是實施例所涉及的第二基材的截面結構圖。

具體實施方式