[發明專利]高頻模塊和通信裝置

在審

• 申請號: 202180073723.2
• 申請日: 2021-11-11
• 公開（公告）號: CN116508147A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 山口幸哉;播磨史生;上島孝紀;竹松佑二;吉見俊二;荒屋敷聰;佐俁充則;后藤聰;青池將之
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;嚴美善

1.一種高頻模塊，具備：

模塊基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

第一基材，所述第一基材的至少一部分由第一半導體材料構成，在所述第一基材形成有電子電路；

第二基材，所述第二基材的至少一部分由熱導率比所述第一半導體材料的熱導率低的第二半導體材料構成，在所述第二基材形成有放大電路；以及

外部連接端子，其配置于所述第二主面，

其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面和所述第二主面中的所述第二主面一側，

所述第二基材配置于所述模塊基板與所述第一基材之間，所述第二基材與所述第一基材接合，所述第二基材經由第一電極來與所述第二主面連接。

2.一種高頻模塊，具備：

模塊基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

第一基材，所述第一基材的至少一部分由硅構成，在所述第一基材形成有電子電路；

第二基材，所述第二基材的至少一部分由砷化鎵構成，在所述第二基材形成有放大電路；以及

外部連接端子，其配置于所述第二主面，

其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面和所述第二主面中的所述第二主面一側，

所述第二基材配置于所述模塊基板與所述第一基材之間，所述第二基材與所述第一基材接合，所述第二基材經由第一電極來與所述第二主面連接。

3.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其中，

所述第一基材具有彼此相向的第三主面和第四主面，

所述第二基材在所述第三主面與所述第一基材接合，

所述高頻模塊還具備金屬層，所述金屬層形成于所述第四主面。

4.根據權利要求3所述的高頻模塊，其中，

所述金屬層與所述放大電路的地及所述電子電路的地連接。

5.根據權利要求3或4所述的高頻模塊，其中，

在俯視所述模塊基板的情況下，所述第一基材及所述第二基材的接合界面與所述金屬層有至少一部分重疊。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述第二基材比所述第一基材薄。

7.根據權利要求1～6中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述第一基材具有彼此相向的第三主面和第四主面、以及將所述第三主面與所述第四主面相連的側面，

所述第二基材在所述第三主面與所述第一基材接合，

所述第四主面的算術平均粗糙度比所述側面的算術平均粗糙度大。

8.根據權利要求1～7中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述第一基材經由第二電極來與所述第二主面連接。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述放大電路包括功率放大器。

10.根據權利要求1～9中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述放大電路包括具有集電極層、基極層以及發射極層的電路元件，

所述集電極層、所述基極層以及所述發射極層從所述第一基材側起按所述集電極層、所述基極層、所述發射極層的順序層疊。

11.根據權利要求10所述的高頻模塊，其中，

還具備低噪聲放大器，所述低噪聲放大器配置于所述第二主面，

在俯視所述模塊基板的情況下，在所述第一基材及所述第二基材與所述低噪聲放大器之間配置有被配置于所述第二主面的地端子。

12.根據權利要求1～11中的任一項所述的高頻模塊，其中，

所述電子電路包括用于控制所述放大電路的控制電路。