[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180067519.X | 申請(qǐng)日: | 2021-09-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116438648A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西山雄人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/29 | 分類號(hào): | H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;范勝杰 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
一種半導(dǎo)體裝置,具有:開(kāi)關(guān)元件、控制所述開(kāi)關(guān)元件的控制元件、搭載有所述開(kāi)關(guān)元件和所述控制元件的島引線、以及多根端子引線。所述開(kāi)關(guān)元件具有第一電極、第二電極以及第三電極,所述第一電極和所述第二電極相對(duì)于所述第三電極位于厚度方向的一側(cè)。所述島引線具有:支承所述開(kāi)關(guān)元件和所述控制元件且朝向所述厚度方向的一側(cè)的主面。所述多根端子引線分別與所述第二電極和所述控制元件中的某一個(gè)導(dǎo)通。所述島引線與所述多根端子引線分離。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
在專利文獻(xiàn)1中,公開(kāi)了具有作為開(kāi)關(guān)元件的MOSFET的半導(dǎo)體裝置。在該文獻(xiàn)所公開(kāi)的半導(dǎo)體裝置中,是用于使開(kāi)關(guān)元件動(dòng)作的多根引線從樹脂部向一個(gè)方向露出的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2017-5165號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
作為開(kāi)關(guān)元件開(kāi)關(guān)對(duì)象的電壓越高,引線間的電位差越大。此時(shí),就要求擴(kuò)大相鄰引線間的距離,導(dǎo)致了半導(dǎo)體裝置的大型化。
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其一個(gè)課題在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓化和小型化的半導(dǎo)體裝置。
用于解決課題的手段
由本公開(kāi)提供的半導(dǎo)體裝置具有:開(kāi)關(guān)元件;控制元件,其控制所述開(kāi)關(guān)元件;島引線,其搭載有所述開(kāi)關(guān)元件和所述控制元件;多根端子引線;以及樹脂部,其覆蓋所述島引線的一部分、所述多根端子引線各自的一部分、所述開(kāi)關(guān)元件和所述控制元件。所述開(kāi)關(guān)元件具有第一電極、第二電極和第三電極,所述第一電極和所述第二電極相對(duì)于所述第三電極位于厚度方向的一側(cè)。所述島引線具有:支承所述開(kāi)關(guān)元件和所述控制元件且朝向所述厚度方向的一側(cè)的主面以及朝向所述厚度方向的另一側(cè)的背面。所述多根端子引線分別與所述第二電極和所述控制元件中的某一個(gè)導(dǎo)通。所述島引線與所述多根端子引線分離。
發(fā)明效果
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高電壓化和小型化。
本公開(kāi)的其他特征以及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參照附圖在以下進(jìn)行的詳細(xì)說(shuō)明而變得更加明確。
附圖說(shuō)明
圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
圖2是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分俯視圖。
圖3是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的仰視圖。
圖4是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主視圖。
圖5是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的后視圖。
圖6是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的右側(cè)視圖。
圖7是沿著圖2的VII-VII線的剖視圖。
圖8是沿著圖2的VIII-VIII線的剖視圖。
圖9是沿著圖2的IX-IX線的剖視圖。
圖10是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分俯視圖。
圖11是沿著圖10的XI-XI線的剖視圖。
圖12是沿著圖10的XII-XII線的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖對(duì)本公開(kāi)的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行具體說(shuō)明。
本公開(kāi)中的“第一”、“第二”、“第三”等用語(yǔ)僅用作標(biāo)簽,并不意圖對(duì)這些對(duì)象物附加排序。
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