[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

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• 申請日: 2021-09-03
• 公開（公告）號: CN116438648A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 西山雄人
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;范勝杰

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

開關元件；

控制元件，其控制所述開關元件；

島引線，其搭載有所述開關元件和所述控制元件；

多根端子引線；以及

樹脂部，其覆蓋所述島引線的一部分、所述多根端子引線各自的一部分、所述開關元件和所述控制元件，

所述開關元件具有第一電極、第二電極和第三電極，所述第一電極和所述第二電極相對于所述第三電極位于厚度方向的一側，

所述島引線具有：支承所述開關元件和所述控制元件且朝向所述厚度方向的一側的主面以及朝向所述厚度方向的另一側的背面，

所述多根端子引線分別與所述第二電極和所述控制元件中的某一個導通，

所述島引線與所述多根端子引線分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第三電極與所述島引線的所述主面導通接合。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還具有：絕緣層，其介于所述控制元件與所述島引線的所述主面之間。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述島引線的所述背面從所述樹脂部露出。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述開關元件和所述控制元件配置成沿與所述厚度方向成直角的第一方向彼此分離。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多根端子引線從所述樹脂部向第二方向突出，該第二方向與所述厚度方向以及所述第一方向成直角。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

沿著所述厚度方向觀察時，所述島引線與所述多根端子引線沿所述第二方向彼此分離。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子引線具有：鍵合部，其被所述樹脂部覆蓋且相對于所述島引線位于所述厚度方向的一側。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

所述鍵合部與所述島引線在所述厚度方向上的距離比所述鍵合部與所述島引線在所述第二方向上的距離大。

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子引線具有：安裝部，其從所述樹脂部露出且在所述厚度方向上的位置為沿著所述第二方向觀察時與所述島引線重疊的位置。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多根端子引線配置成在所述第一方向上等間距。

12.根據權利要求8～11中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還具有：第一導線，其與所述第二電極和所述多根端子引線的所述鍵合部連接。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還具有：第二導線，其與所述控制元件和所述多根端子引線的所述鍵合部連接。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還具有：第三導線，其與所述第一電極和所述控制元件連接。

15.根據權利要求1～14中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述島引線具有：貫通孔，其沿所述厚度方向貫通，

在所述貫通孔中填充有所述樹脂部的一部分。

16.根據權利要求1～15中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述開關元件具有以SiC為主成分的半導體部。

17.根據權利要求1～16中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一電極是柵極電極，所述第二電極是源極電極，所述第三電極是漏極電極。