[發明專利]用于減輕周期性干擾引起的射頻負載阻抗變化的設備及調諧方法

在審

• 申請號: 202180063533.2
• 申請日: 2021-10-01
• 公開（公告）號: CN116325071A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 亞倫·M·貝里;亞倫·T·瑞多姆斯基;馬里烏斯·歐爾德杰伊;彼得·保羅;R·萊因哈特
• 申請（專利權）人: MKS儀器有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 于會玲;宋志強

一射頻(RF)功率產生系統包括一射頻電源，該射頻電源產生傳送到負載的一射頻輸出信號。一射頻功率控制器被配置為產生一控制信號以改變射頻輸出信號。該控制器調整與該射頻輸出信號相關的一參數，并且根據一觸發信號控制該參數。根據一成本函數調整該參數，并且通過將一擾動插入到影響該成本函數的一致動器中來確定該成本函數。該致動器可以控制一外部射頻輸出信號，并且該觸發信號可以根據該外部射頻輸出信號而改變。

相關申請案之交互參照

本申請案主張于2020年11月24日提交的美國專利申請案第17/102,598號的優先權。上述申請案的全部公開內容于此并入全文作為參考。

技術領域

本公開涉及多種射頻(RF)產生器系統及多種射頻產生器的控制。

背景技術

本說明書中提供的先前技術部分之說明是為了概括地呈現本公開的上下文關系。就當前名列的發明人的研發成果之說明，不論在本先前技術部分中描述，亦或是擴展至實施方式中的描述，可能涉及本案申請時非屬適格先前技術的內容，不因其記載于先前技術部分而據以指稱發明人已明示或暗示地承認其為本公開的先前技術。

等離子體制造經常用于半導體制造中。在等離子體制造中，多個離子被一電場加速，以從一基板的一表面蝕刻材料或將材料沉積到一基板的一表面上。在一基本的實施方式中，該電場是基于由一功率輸送系統的一相應射頻或直流產生器產生的射頻(RF)或直流(DC)功率信號所產生，必須精確控制該產生器產生的該多個功率信號才能有效地執行等離子體蝕刻。

發明內容

一射頻(RF)產生器包括一射頻電源，該射頻產生器進一步包括一射頻功率控制器，耦合到該射頻電源，該射頻功率控制器被配置為生成一控制信號，以改變來自該射頻電源的一射頻輸出信號，該射頻功率控制器被配置為根據一觸發信號，調整與該射頻輸出信號相關的一參數，該參數是響應于該參數的一擾動而根據最小化或最大化成本中的一個來調整。

一種射頻(RF)產生器系統，包括一第一電源，該第一電源被配置為將一第一射頻信號輸出到一負載。該射頻產生器系統進一步包括一第二射頻產生器。該第二射頻產生器進一步包括一第二電源，該第二電源被配置為產生施加到該負載的第一射頻信號。該感測射頻產生器進一步包括一功率控制器，該功率控制器耦合到該第二電源，該功率控制器被配置為產生一控制信號以改變該第二射頻信號，其中該控制信號調整根據該第一射頻信號而改變的該第二射頻信號的一頻率，該頻率的調整是響應于該第二射頻信號的該頻率的一擾動的一成本而改變。

一種用于產生射頻(RF)信號的方法，包括：將一功率控制器耦合到一射頻電源，控制一第一射頻產生器，以輸出一第一射頻輸出信號，調整與將該射頻輸出信號施加到一負載相關聯的一電參數。根據一成本調整該電參數，并且該成本是根據對該電參數的擾動的響應而最小化或最大化中的一種，并且其中相對于一觸發信號調整該電參數。

多個實施方式可以包括以下特征中的一個或多個，在該方法中，該成本是根據一反射功率或一反射系數的大小中的一個來確定。在該方法中，根據該成本確定一梯度，并且根據該梯度調整該電參數。在該方法中，該電參數根據以一型樣(pattern)配置的多個調整(adjustments)來進行調整。在該方法中，該型樣根據一外部射頻輸出信號的一周期而改變。在該方法中，一外部射頻輸出信號包括多個倉(bin)，并且其中該參數在每個倉中被擾動。在該方法中，該射頻輸出信號是施加到一等離子體腔室的一源射頻信號，并且該觸發信號根據一外部射頻輸出信號而改變，并且該外部射頻輸出信號是施加到該等離子體腔室的一偏壓射頻信號。在該方法中，該射頻功率控制器根據該觸發信號調整該電參數，其中該觸發信號指示一外部射頻輸出信號的一相對位置。在該方法中，該電參數是一頻率或一頻偏中的一個，并且該電參數包括由該射頻功率控制器用來根據該觸發信號以一預定順序調整電參數的多個相應頻率或頻偏。在該方法中，根據由一外部射頻輸出信號引起的一互調失真來調整該電參數。