[發(fā)明專利]輔助片、輔助片的制造方法及吸附方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180059308.1 | 申請日: | 2021-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN116235288A | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 室田真弘 | 申請(專利權)人: | 發(fā)那科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 劉煜 |
| 地址: | 日本國山梨縣南都留*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助 制造 方法 吸附 | ||
1.一種輔助片(10),其配置在吸附被吸附物(30)的吸附面(40F)和所述被吸附物之間,輔助所述被吸附物的吸附,所述輔助片的特征在于,具有:
多個第一區(qū)域(AR1),其具有以空氣能夠通過的方式連續(xù)設置的多個細孔(12)且具有彈性;以及
一個或多個第二區(qū)域(AR2),所述第二區(qū)域的空氣通過量比多個所述第一區(qū)域少且具有彈性,
多個所述第一區(qū)域和一個或多個所述第二區(qū)域交替配置,相互相鄰的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相接。
2.根據(jù)權利要求1所述的輔助片,其特征在于,
多個所述第一區(qū)域分別被一個以上的所述第二區(qū)域包圍。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的輔助片,其特征在于,
多個所述第一區(qū)域的面積大于多個所述第二區(qū)域的面積。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的輔助片,其特征在于,
多個所述第一區(qū)域和多個所述第二區(qū)域呈同心圓狀配置。
5.根據(jù)權利要求4所述的輔助片,其特征在于,具有:
第三區(qū)域(AR3),所述第三區(qū)域的空氣通過量比多個所述第一區(qū)域少且具有彈性,所述第三區(qū)域沿徑向呈放射狀延伸,并進一步分割多個所述第一區(qū)域中的至少一個。
6.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的輔助片,其特征在于,
多個所述第一區(qū)域和多個所述第二區(qū)域配置成矩陣狀。
7.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的輔助片,其特征在于,
多個所述第一區(qū)域配置成矩陣狀,
一個所述第二區(qū)域以包圍多個所述第一區(qū)域的每一個的方式形成為格子狀。
8.一種輔助片的制造方法,該輔助片配置在吸附被吸附物的吸附面和所述被吸附物之間,輔助所述被吸附物的吸附,該方法包括以下工序:
前工序(P1),準備包括第一區(qū)域的片,所述第一區(qū)域具有以空氣能夠通過的方式連續(xù)配置的多個細孔且具有彈性;以及
形成工序(P2),針對所述第一區(qū)域形成一個或多個第二區(qū)域,所述第二區(qū)域的空氣通過量比多個所述第一區(qū)域少且具有彈性,
在所述形成工序中以如下方式形成一個或多個所述第二區(qū)域,即多個所述第一區(qū)域和一個或多個所述第二區(qū)域交替配置,相互相鄰的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相接。
9.根據(jù)權利要求8所述的制造方法,其特征在于,
所述形成工序通過按壓沖壓模具(22)而壓碎多個所述細孔,從而形成一個或多個所述第二區(qū)域。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造方法,其特征在于,
所述形成工序是按壓加熱后的所述沖壓模具。
11.根據(jù)權利要求8所述的制造方法,其特征在于,
在所述形成工序中,涂布熔融粘接劑,使涂布的所述熔融粘接劑固化而形成具有彈性的粘接劑,從而形成一個或多個所述第二區(qū)域。
12.一種吸附方法,其使用配置在吸附被吸附物的吸附面和所述被吸附物之間、輔助所述被吸附物的吸附的輔助片,將所述被吸附物吸附到所述吸附面上,該吸附方法的特征在于,包括:
配置步驟(S1),將所述輔助片配置在所述被吸附物的被吸附面(30F)和工作臺(40)的所述吸附面之間;以及
吸附步驟(S2),將所述被吸附物經(jīng)由所述輔助片吸附到所述吸附面上,
所述輔助片具有:
多個第一區(qū)域,其具有以空氣能夠通過的方式連續(xù)設置的多個細孔且具有彈性;以及
一個或多個第二區(qū)域,所述第二區(qū)域的空氣通過量比多個所述第一區(qū)域少且具有彈性,多個所述第一區(qū)域和一個或多個所述第二區(qū)域交替配置,相互相鄰的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相接。
13.根據(jù)權利要求12所述的吸附方法,其特征在于,
所述輔助片在相對于所述被吸附物及所述工作臺未安裝的狀態(tài)下被吸附在所述吸附面上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于發(fā)那科株式會社,未經(jīng)發(fā)那科株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202180059308.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





