[發明專利]輔助片、輔助片的制造方法及吸附方法在審
| 申請號: | 202180059308.1 | 申請日: | 2021-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN116235288A | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 室田真弘 | 申請(專利權)人: | 發那科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 劉煜 |
| 地址: | 日本國山梨縣南都留*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助 制造 方法 吸附 | ||
本發明提供能夠使被吸附物的吸附穩定化的輔助片、輔助片的制造方法及吸附方法。一個實施方式的輔助片(10)具有:多個第一區域(AR1),其具有以空氣能夠通過的方式連續設置的多個細孔(12)且具有彈性;以及一個或多個第二區域(AR2),所述第二區域的空氣通過量比多個第一區域(AR1)少且具有彈性。多個第一區域(AR1)和一個或多個第二區域(AR2)交替配置,相互相鄰的第一區域(AR1)和第二區域(AR2)相接。
技術領域
本發明涉及對被吸附物的吸附進行輔助的輔助片、輔助片的制造方法及吸附方法。
背景技術
在日本特開2009-117552號公報中,公開了通過經由平板吸引空氣來吸附被吸附物的吸附臺。平板具有多個在正面和背面之間連通的孔。在平板的另一個面上設置有片構件。在片構件上形成有在與平板的孔相同的方向上具有透氣性的細孔。細孔小于平板的孔徑。在日本特開2009-117552號公報中記載了通過設置該片構件,在確保作為吸附臺整體的剛性的同時,以充分的平坦度吸附被吸附物。
發明內容
但是,日本特開2009-117552號公報的片構件是無紡布。無紡布具有彈性。因此,在平板的另一個面上經由片構件吸附被吸附物時,片構件被按壓在平板上。由此,理論上外部的空氣不會經由片構件的側方流入平板。
但是,在吸附被吸附物的吸附面(平板的另一個面)或吸附在吸附面上的被吸附面(被吸附物側的表面)上至少存在凹凸。由于該凹凸的存在,存在片構件向平板的按壓受到限制的情況。在這種情況下,外部的空氣經由片構件的側方流入平板。其結果,存在吸引力降低、被吸附物的吸附變得不穩定的傾向。
因此,本發明的目的在于提供一種能夠使被吸附物的吸附穩定化的輔助片、輔助片的制造方法以及吸附方法。
本發明的第一方面提供了一種輔助片,其配置在吸附被吸附物的吸附面和所述被吸附物之間,輔助所述被吸附物的吸附,所述輔助片具有:
多個第一區域,其具有以空氣能夠通過的方式連續設置的多個細孔且具有彈性;以及
一個或多個第二區域,所述第二區域的空氣通過量比多個所述第一區域少且具有彈性,
多個所述第一區域和一個或多個所述第二區域交替配置,相互相鄰的所述第一區域和所述第二區域相接。
本發明的第二方面提供了一種輔助片的制造方法,該輔助片配置在吸附被吸附物的吸附面和所述被吸附物之間,輔助所述被吸附物的吸附,該方法包括以下工序:
前工序,準備包括第一區域的片,所述第一區域具有以空氣能夠通過的方式連續配置的多個細孔且具有彈性;以及
形成工序,針對所述第一區域形成一個或多個第二區域,所述第二區域的空氣通過量比多個所述第一區域少且具有彈性,
在所述形成工序中以如下方式形成一個或多個所述第二區域,即多個所述第一區域和一個或多個所述第二區域交替配置,相互相鄰的所述第一區域和所述第二區域相接。
本發明的第三方面提供了吸附方法,其使用配置在吸附被吸附物的吸附面和所述被吸附物之間、輔助所述被吸附物的吸附的輔助片,將所述被吸附物吸附到所述吸附面上,該吸附方法包括:
配置步驟,將所述輔助片配置在所述被吸附物的被吸附面和工作臺的所述吸附面之間;以及
吸附步驟,將所述被吸附物經由所述輔助片吸附到所述吸附面上,
所述輔助片具有:
多個第一區域,其具有以空氣能夠通過的方式連續設置的多個細孔且具有彈性;以及一個或多個第二區域,所述第二區域的空氣通過量比多個所述第一區域少且具有彈性,多個所述第一區域和一個或多個所述第二區域交替配置,相互相鄰的所述第一區域和所述第二區域相接。
根據本發明的方式,能夠使被吸附物的吸附穩定化。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





