[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體裝置的加寬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)和階梯式結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180054587.2 | 申請日： | 2021-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN116018888A | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 橫山雄一 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H10B12/00 | 分類號： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 裝置 加寬 導(dǎo)線 結(jié)構(gòu) 階梯 | ||
1.一種用于在豎直堆疊存儲器單元的陣列內(nèi)形成加寬導(dǎo)線的方法，其包括：
形成多個層，所述層包含具有形成于其中的一或多個水平導(dǎo)線的一或多個第一介電材料層和在所述一或多個第一介電材料層下方的第二介電材料層；
形成第一數(shù)目個豎直開口，每一豎直開口與所述一或多個第一介電材料層中的至少一者相交；
通過經(jīng)由所述第一數(shù)目個豎直開口去除所述一或多個第一介電材料層來產(chǎn)生一或多個水平開口；
通過將第一導(dǎo)電材料形成到所述第一數(shù)目個所述豎直開口中的每一者中而在所述一或多個水平開口中形成所述第一導(dǎo)電材料的多個水平層；
從所述第一數(shù)目個豎直開口中的每一者去除所述第一導(dǎo)電材料的一部分；
將第三介電材料形成到所述第一數(shù)目個豎直開口中的每一者中；
形成第二數(shù)目個豎直開口，其中所述第二數(shù)目個豎直開口中的每一豎直開口允許與所述第一導(dǎo)電材料的所述多個水平層中的一者接觸；及
將第二導(dǎo)電材料形成到所述第二數(shù)目個豎直開口中的每一者中以形成到所述第一導(dǎo)電材料的多個導(dǎo)電接觸件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個層中的每一者具有比上方層的長度大的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述第一導(dǎo)電材料的所述部分包含在所述第一數(shù)目個豎直開口中的每一豎直開口中暴露豎直側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第二數(shù)目個豎直開口中的每一者水平地鄰近于所述第一數(shù)目個豎直開口中的兩個豎直開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的方法，其進一步包括形成所述第二數(shù)目個豎直開口，使得所述第二數(shù)目個豎直開口中的每一者允許與所述第一導(dǎo)電材料的所述數(shù)個層中的唯一層接觸。
6.一種用于在豎直堆疊存儲器單元的陣列內(nèi)形成加寬導(dǎo)線的方法，其包括：
形成多個層，所述層包含具有形成于其中的兩個或更多個水平導(dǎo)線的一或多個第一介電材料層和在所述一或多個第一介電材料層下方的第二介電材料層；
形成第一數(shù)目個豎直開口，每一豎直開口與所述一或多個第一介電材料層中的至少一者相交；
通過經(jīng)由所述第一數(shù)目個豎直開口去除所述第一介電材料的一部分而形成一或多個水平開口；
通過將第一導(dǎo)電材料形成到所述第一數(shù)目個所述豎直開口中的每一者中而在所述一或多個水平開口中形成所述第一導(dǎo)電材料的多個水平層；
從所述第一數(shù)目個豎直開口中的每一者去除所述第一導(dǎo)電材料的一部分，保持所述第一導(dǎo)電材料的所述水平層完好；及
將第三介電材料形成到所述第一數(shù)目個豎直開口中的每一者中以形成到所述第一導(dǎo)電材料的多個導(dǎo)電接觸件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第三介電材料與所述第一導(dǎo)電材料的額外部分接觸，且其中所述第一導(dǎo)電材料的所述額外部分與所述兩個或更多個導(dǎo)線中的導(dǎo)線接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6至7中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述兩個或更多個水平導(dǎo)線中的每一者包括金屬材料，且其中所述第一介電材料、所述第二介電材料和所述第三介電材料各自包括以下中的至少一者：
氧化物材料；及
氮化物材料。
9.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，其包括：
豎直堆疊存儲器單元的陣列，其具有：
水平定向?qū)Ь€的豎直堆疊，每一導(dǎo)線包括：
在第一水平方向上延伸的第一部分；
在第二水平方向上延伸的第二部分，其中每一導(dǎo)線的所述第二部分具有比每一導(dǎo)線的所述第一部分大的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中所述第二水平方向處于大致垂直于所述第一水平方向的角度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美光科技公司，未經(jīng)美光科技公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202180054587.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
