[發明專利]對準方法以及相關的對準和光刻設備

在審

• 申請號: 202180037591.8
• 申請日: 2021-05-11
• 公開（公告）號: CN115668068A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: E·M·赫爾斯埃博;F·G·C·比基恩
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 胡良均

公開了一種在對準標記上執行位置測量的方法以及相關聯的設備，該對準標記至少包括第一周期性結構，具有沿著第一方向的周期性的方向。該方法包括獲得與位置測量相關的信號數據，并且擬合信號數據以確定位置值。擬合步驟使用調制擬合或者背景包絡周期性擬合中的一個。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年5月27日提交的EP申請20176845.4的優先權，該申請通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及例如可用于通過光刻技術制造器件的方法和設備，并且涉及使用光刻技術制造器件的方法。本發明涉及量測裝置，并且更具體地，涉及用于測量位置的量測裝置，諸如對準傳感器以及具有這種對準傳感器的光刻設備。

背景技術

光刻設備是將期望的圖案施加至襯底上(通常施加至襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在該情況下，圖案形成裝置(其替代地稱為掩模或掩模版)可以用以產生待形成在IC的單層上的電路圖案。這種圖案可以轉印至襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括管芯的部分、一個管芯或若干管芯)上。圖案的轉印通常經由成像至被設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行。通常，單個襯底將包含被連續地圖案化的相鄰目標部分的網絡。這些目標部分通常被稱為“場”。

在復雜器件的制造中，通常執行許多光刻圖案化步驟，從而在襯底上的連續層中形成功能特征。因此，光刻設備性能的關鍵方面在于，相對于被鋪設(由相同設備或不同光刻設備)在先前層中的特征正確地且準確地放置所施加圖案的能力。為此目的，襯底設置有一組或多組對準標記。每個標記是其位置可以在之后使用位置傳感器或對準傳感器(這兩個術語同義使用)(通常是光學位置傳感器)進行測量的結構。

光刻設備包括一個或多個對準傳感器，通過所述對準傳感器可以準確地測量襯底上的標記的位置。從不同的制造商和相同制造商的不同產品中已知不同類型的標記和不同類型的對準傳感器。當前光刻設備中廣泛使用的一種傳感器是基于US6961116(den Boef等人)中描述的自參考干涉儀。已經開發了對位置傳感器的各種增強和改進，例如如US2015261097A1中所公開的。所有這些出版物的內容通過引用并入本文。

越來越期望減小對準標記的尺寸和測量對準標記的時間，因為在IC制造中，掩模版空間和量測時間都很重要。減小對準標記的尺寸會減小標記上的掃描長度，從而導致相鄰結構對對準位置的影響增大。由于短掃描長度和相鄰結構影響中的一個或兩個，從這種小標記測量的位置(特別是如果以期望速度和取向測量以在一次掃描中檢測兩個位置方向)會具有不良再現性(repro)和準確性。期望在測量這種標記時提高再現性和準確性。

發明內容

本發明在第一方面提供了一種在對準標記上執行位置測量的方法，所述對準標記至少包括具有沿著第一方向的周期性的方向的第一周期性結構；所述方法包括：獲得與所述位置測量相關的信號數據；并且擬合所述信號數據以確定位置值；其中，擬合步驟使用以下中的一個：調制擬合；或者背景包絡周期性擬合。

本發明在第二方面提供了一種在雙向對準標記上執行位置測量的方法，所述雙向對準標記包括與第二周期性結構一起布置的第一周期性結構，所述第二周期性結構具有在不同于所述第一方向的第二方向上的周期性的方向；所述標記被配置成相對于所述第一方向和所述第二方向被傾斜地掃描；所述方法包括：獲得與所述位置測量相關的信號數據，所述信號數據包括至少第一方向分量和第二方向分量，所述第一方向分量與所述傾斜掃描期間所檢測到的第一有效節距相關，并且所述信號數據中的所述第二方向分量與所述傾斜掃描方向期間所檢測到的第二有效節距相關；并且對由于與所述信號數據中的第一頻率與所述信號數據中的第二頻率的差相對應的差頻處的振動而導致的信號干擾應用校正，所述第一頻率與所述第一有效節距相關，并且所述第二頻率與所述第二有效節距相關