[發(fā)明專利]用于診斷未觀察的操作參數(shù)的方法和設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202180032928.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115552334A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·E·S·K·西格特爾曼斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G05B23/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 胡良均

一種診斷機(jī)器或設(shè)備的未觀察的操作參數(shù)的設(shè)備和方法。方法包括獲得機(jī)器或設(shè)備的參數(shù)對(duì)之間的多個(gè)因果關(guān)系，其中每對(duì)包括原因參數(shù)和效果參數(shù)。針對(duì)參數(shù)中的至少一些，基于所確定的參數(shù)之間的因果關(guān)系，將參數(shù)分解為多個(gè)信息分量被確定。參數(shù)的分解包括協(xié)同信息分量，協(xié)同信息分量包括從具有參數(shù)作為效果參數(shù)的至少兩個(gè)因果關(guān)系的組合獲得的信息。第一參數(shù)被確定為包括負(fù)協(xié)同信息分量。基于負(fù)協(xié)同信息分量的存在，診斷未觀察的操作參數(shù)提供了包括負(fù)協(xié)同信息分量的第一參數(shù)的原因。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2020年5月8日提交的EP申請(qǐng)20173778.0的優(yōu)先權(quán)，其通過(guò)引用全部并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種診斷(諸如機(jī)器或設(shè)備)系統(tǒng)的未觀察的操作參數(shù)的設(shè)備和方法。具體地，它涉及確定系統(tǒng)的參數(shù)的信息分量的分解，這些信息分量之間具有因果關(guān)系。

背景技術(shù)

復(fù)雜系統(tǒng)可能會(huì)受到許多因素的影響。確定哪些因素影響系統(tǒng)，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及它們之間的相互關(guān)系通常是一個(gè)重要的挑戰(zhàn)。復(fù)雜系統(tǒng)可以包括機(jī)器、設(shè)備和/或裝備，諸如下面描述的光刻設(shè)備。系統(tǒng)可以涉及延伸到機(jī)器和設(shè)備之外的廣泛領(lǐng)域，例如生物、醫(yī)療和/或環(huán)境系統(tǒng)。

光刻設(shè)備是被構(gòu)造為將期望的圖案施加到襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以被用于例如集成電路(IC)的制造中。光刻設(shè)備可以例如在圖案形成裝置(例如掩模)處將圖案(通常也稱為“設(shè)計(jì)布局”或“設(shè)計(jì)”)投影到設(shè)置在襯底(例如晶片)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影到襯底上，光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。該輻射的波長(zhǎng)確定了可以被形成在襯底上的特征的最小尺寸。當(dāng)前使用的典型波長(zhǎng)是365nm(i線)、248nm、193nm和13.5nm。與使用例如波長(zhǎng)為193nm的輻射的光刻設(shè)備相比，使用波長(zhǎng)在范圍4至20nm內(nèi)(例如6.7nm或13.5nm)的極紫外(EUV)輻射的光刻設(shè)備可以被用于在襯底上形成更小的特征。

低k1光刻可以被用于處理尺寸小于光刻設(shè)備的經(jīng)典分辨率極限的特征。在這種過(guò)程中，分辨率公式可以被表達(dá)為CD＝k₁×λ/NA，其中λ是所采用的輻射波長(zhǎng)，NA是光刻設(shè)備中的投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑，CD是“臨界尺寸”(通常印刷的最小特征尺寸，但在這種情況下是半節(jié)距)，并且k1是經(jīng)驗(yàn)分辨率因子。通常，k1越小，就越難在襯底上再現(xiàn)與電路設(shè)計(jì)者計(jì)劃的形狀和尺寸類似的圖案，以實(shí)現(xiàn)特定電氣功能性和性能。為了克服這些困難，復(fù)雜的微調(diào)步驟可以被應(yīng)用于光刻投影設(shè)備和/或設(shè)計(jì)布局。例如，這些包括但不限于NA的優(yōu)化、定制照射方案、相移圖案形成裝置的使用、設(shè)計(jì)布局中的諸如光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC，有時(shí)也稱為“光學(xué)和過(guò)程校正”)等設(shè)計(jì)布局的各種優(yōu)化或者通常定義為“分辨率增強(qiáng)技術(shù)”(RET)的其他方法。備選地，用于控制光刻設(shè)備的穩(wěn)定性的緊密控制環(huán)可以被用于改進(jìn)低k1下的圖案的再現(xiàn)。

系統(tǒng)(諸如上述光刻設(shè)備)可以通過(guò)獲得與系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)(例如使用量測(cè)和/或建模)來(lái)監(jiān)測(cè)和表征。數(shù)據(jù)可以表示描述系統(tǒng)的不同方面的多個(gè)不同參數(shù)。數(shù)據(jù)可以被用于監(jiān)測(cè)或分析系統(tǒng)，例如確定系統(tǒng)的更新或?qū)ο到y(tǒng)的未來(lái)性能、行為或狀態(tài)作出預(yù)測(cè)或推斷。在光刻設(shè)備的情況下，數(shù)據(jù)可以例如被用于確定光刻過(guò)程設(shè)置的更新，或預(yù)測(cè)設(shè)備性能和/或故障。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種調(diào)整機(jī)器或設(shè)備的操作設(shè)置的方法和/或用于控制和/或驗(yàn)證機(jī)器或設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)的方法。該機(jī)器或設(shè)備可以是例如光刻設(shè)備或者整體光刻系統(tǒng)。