[發明專利]片材剝離方法和片材剝離裝置、以及分割方法和分割裝置在審
| 申請號: | 202180031912.3 | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN115461855A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 泉直史;杉下芳昭;奧田卓也 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 謝辰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝離 方法 裝置 以及 分割 | ||
1.一種片材剝離方法,其將粘貼于被粘合體的粘合片材從該被粘合體剝離,所述片材剝離方法實施如下工序:
片材保持工序,其保持所述粘合片材;
被粘合體保持工序,其保持所述被粘合體;
剝離工序,其對在所述片材保持工序保持的所述粘合片材施加張力,來將所述粘合片材從所述被粘合體剝離;
張力檢測工序,其在所述剝離工序將所述粘合片材從所述被粘合體剝離時,檢測施加于該粘合片材的片材張力;
在所述剝離工序中,基于在所述張力檢測工序的檢測結果,在維持所述片材張力為所希望的張力的同時將所述粘合片材從所述被粘合體剝離。
2.如權利要求1所述的片材剝離方法,其中,
在所述剝離工序中,根據所述被粘合體和所述粘合片材粘合的粘合面的減少使所述片材張力減少,來將所述粘合片材從所述被粘合體剝離。
3.如權利要求2所述的片材剝離方法,其中,
在所述剝離工序中,在將所述片材張力的大小相對于所述粘合面的外緣的長度的比或者、所述片材張力的大小相對于所述粘合面的面積的比維持恒定的同時將所述粘合片材從所述被粘合體剝離。
4.如權利要求1~3中任一項所述的片材剝離方法,其中,
在所述剝離工序中,實施剝離狀態控制工序,所述剝離狀態控制工序控制從所述被粘合體剝離的所述粘合片材的剝離狀態。
5.一種片材剝離裝置,其將粘貼于被粘合體的粘合片材從該被粘合體剝離,所述片材剝離裝置具備:
片材保持機構,其保持所述粘合片材;
被粘合體保持機構,其保持所述被粘合體;
剝離機構,其對在所述片材保持機構保持的所述粘合片材施加張力,將所述粘合片材從所述被粘合體剝離;
張力檢測機構,其通過所述剝離機構將所述粘合片材從所述被粘合體剝離時,檢測施加于該粘合片材的片材張力;
所述剝離機構基于所述張力檢測機構的檢測結果,在維持所述片材張力為所希望的張力的同時將所述粘合片材從所述被粘合體剝離。
6.一種分割方法,對形成有第一改性部且粘貼于粘合片材的被粘合體,以該第一改性部為界分割為位于所述粘合片材側的第一薄化被粘合體、和越過所述第一改性部而位于所述第一薄化被粘合體的相反側的第二薄化被粘合體,在所述分割方法中實施如下工序:
片材保持工序,其保持所述粘合片材;
被粘合體保持工序,其從成為所述第二薄化被粘合體的一側保持所述被粘合體;
分割工序,其對在所述片材保持工序中保持的所述粘合片材施加張力,來將所述被粘合體分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體;
張力檢測工序,其在所述分割工序中分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體時,檢測施加于所述粘合片材的片材張力;
在所述分割工序中,基于在所述張力檢測工序中的檢測結果,在維持所述片材張力為所希望的張力的同時將所述被粘合體分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體。
7.如權利要求6所述的分割方法,其中,
所述被粘合體在與第二分割面平行的方向上設置多個第二改性部,所述第二分割面與設置有所述第一改性部的第一分割面相交,
在所述分割工序中,在將所述被粘合體分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體時,將所述第一薄化被粘合體沿著所述第二分割面分割,將該第一薄化被粘合體分割為多個片狀體。
8.一種分割裝置,對形成有第一改性部且粘貼于粘合片材的被粘合體,以該第一改性部為界分割為位于所述粘合片材側的第一薄化被粘合體、和越過所述第一改性部而位于所述第一薄化被粘合體的相反側的第二薄化被粘合體,所述分割裝置具備:
片材保持機構,其保持所述粘合片材;
被粘合體保持機構,其從成為所述第二薄化被粘合體的一側保持所述被粘合體;
分割機構,其對由所述片材保持機構保持的所述粘合片材施加張力,來將所述被粘合體分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體;
張力檢測機構,其通過所述分割機構分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體時,檢測施加于所述粘合片材的片材張力;
所述分割機構基于所述張力檢測機構的檢測結果,在維持所述片材張力為所希望的張力的同時將所述被粘合體分割為所述第一薄化被粘合體和所述第二薄化被粘合體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





