[發明專利]透明導電性薄膜

在審

• 申請號: 202180022465.5
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN115298022A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 藤野望;鴉田泰介
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: B32B7/025
• 分類號: B32B7/025;B32B9/00;B32B9/04;H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/34;H01Q1/52;H05K9/00;B32B7/00;B32B7/022;B32B7/023;G02F1/1333;G02F1/1343
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明的透明導電性薄膜(X)沿著厚度方向(D)依次具備透明基材(10)和透光性導電層(20)。透光性導電層(20)含有氪。透光性導電層(20)中的壓縮殘余應力小于490MPa。

技術領域

本發明涉及透明導電性薄膜。

背景技術

以往，沿著厚度方向依次具備透明的基材薄膜和透明的導電層(透光性導電層)的透明導電性薄膜是已知的。透光性導電層被用作例如用于對液晶顯示器、觸摸面板和光傳感器等各種設備中的透明電極進行圖案形成的導體膜。另外，透光性導電層有時也被用作設備所具備的抗靜電層。透光性導電層通過例如利用濺射法在基材薄膜上對導電性氧化物進行成膜來形成。在該濺射法中，以往作為用于撞擊靶(成膜材料供給材料)而使靶表面的原子彈出的濺射氣體，使用氬氣等非活性氣體。關于這種透明導電性薄膜的相關技術，在例如下述專利文獻1中有所記載。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平5-334924號公報

發明內容

發明要解決的問題

對透明導電性薄膜的透光性導電層要求低電阻。尤其是對于透明電極用途的透明導電性薄膜而言，該要求高。另外，對透明導電性薄膜還要求不易發生翹曲。

本發明提供對于實現透光性導電層的低電阻化且抑制薄膜的翹曲而言適合的透明導電性薄膜。

用于解決問題的方案

本發明[1]包括一種透明導電性薄膜，其沿著厚度方向依次具備透明基材和透光性導電層，前述透光性導電層含有氪，前述透光性導電層在與前述厚度方向正交的面內方向上具有小于490MPa的壓縮殘余應力。

本發明[2]包括上述[1]所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層的面內方向的平均晶界數小于12個/μm。

本發明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層含有含銦的導電性氧化物。

本發明[4]包括上述[1]～[3]中任一項所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層不含氙。

本發明[5]包括上述[1]～[4]中任一項所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層具有2.2×10^-4Ω·cm以下的電阻率。

本發明[6]包括上述[1]～[5]中任一項所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層具有30nm以上的厚度。

發明的效果

本發明的透明導電性薄膜由于透明基材上的透光性導電層含有氪，且該透光性導電層在其面內方向上具有小于490MPa的壓縮殘余應力，因此，對于實現透光性導電層的低電阻化且抑制該薄膜的翹曲而言是適合的。

附圖說明

圖1是本發明的透明導電性薄膜的一個實施方式的截面示意圖。

圖2是本發明的透明導電性薄膜的變形例的截面示意圖。圖2的A表示透光性導電層從透明基材側起依次包含第一區域和第二區域的情況。圖2的B表示透光性導電層從透明基材側起依次包含第二區域和第一區域的情況。

圖3表示圖1中示出的透明導電性薄膜的制造方法。圖3的A表示準備透明樹脂薄膜的工序，圖3的B表示在透明樹脂薄膜上形成功能層的工序，圖3的C表示在功能層上形成透光性導電層的工序，圖3的D表示透光性導電層的結晶化工序。

圖4表示圖1中示出透明導電性薄膜中的透光性導電層進行了圖案化的情況。