[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202180013655.0
• 申請(qǐng)日: 2021-02-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115066752A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廣瀨雅庸;村瀨泰規(guī)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社索思未來(lái)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11;H01L21/82;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L21/8244;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其包括單端口SRAM單元，其特征在于：

所述單端口SRAM單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管以及第六晶體管，

所述第一晶體管的一節(jié)點(diǎn)與供給第一電壓的第一電源相連，另一節(jié)點(diǎn)與第一節(jié)點(diǎn)相連，柵極與第二節(jié)點(diǎn)相連，

所述第二晶體管的一節(jié)點(diǎn)與所述第一電源相連，另一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，

所述第三晶體管的一節(jié)點(diǎn)與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，另一節(jié)點(diǎn)與供給第二電壓的第二電源相連，柵極與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，所述第二電壓與所述第一電壓不同，

所述第四晶體管的一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，另一節(jié)點(diǎn)與所述第二電源相連，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，

所述第五晶體管的一節(jié)點(diǎn)與第一位線相連，另一節(jié)點(diǎn)與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，柵極與字線相連，

所述第六晶體管的一節(jié)點(diǎn)與第二位線相連，另一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，柵極與所述字線相連，所述第二位線與所述第一位線構(gòu)成互補(bǔ)位線對(duì)，

所述第一晶體管包括第一納米片和第一柵極布線，所述第二晶體管包括第二納米片和第二柵極布線，所述第三晶體管包括第三納米片和第三柵極布線，所述第四晶體管包括第四納米片和第四柵極布線，所述第五晶體管包括第五納米片和第五柵極布線，所述第六晶體管包括第六納米片和第六柵極布線，

所述第一納米片～所述第六納米片沿第一方向延伸，

所述第一柵極布線包圍所述第一納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二柵極布線包圍所述第二納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第三柵極布線包圍所述第三納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第四柵極布線包圍所述第四納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第五柵極布線包圍所述第五納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第六柵極布線包圍所述第六納米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，

所述第一納米片、所述第三納米片以及所述第六納米片沿所述第二方向按照所述第六納米片、所述第一納米片、所述第三納米片的順序排列而成，

所述第二納米片、所述第四納米片以及所述第五納米片沿所述第二方向按照所述第四納米片、所述第二納米片、所述第五納米片的順序排列而成，

所述第一納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第一柵極布線露出，所述第二納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第二柵極布線露出，所述第三納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第三柵極布線露出，所述第四納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第四柵極布線露出，所述第五納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第五柵極布線露出，所述第六納米片的、所述第二方向上的任一側(cè)的面從所述第六柵極布線露出，

在比所述第一晶體管～所述第六晶體管靠下的下層形成有第一電源布線，當(dāng)俯視時(shí)所述第一電源布線在所述第一納米片與所述第二納米片之間沿所述第一方向延伸，并且供給所述第一電壓，

所述第一納米片的在所述第二方向上與第一側(cè)相反的一側(cè)即第二側(cè)的面從所述第一柵極布線露出，所述第一電源布線形成在所述第一納米片的所述第一側(cè)，

所述第二納米片的在所述第二方向上與所述第二側(cè)相反的一側(cè)即所述第一側(cè)的面從所述第二柵極布線露出，所述第一電源布線形成在所述第二納米片的所述第二側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述單端口SRAM單元還包括第一布線和第二布線，

所述第一布線沿所述第一方向延伸，成為所述第一位線，

所述第二布線沿所述第一方向延伸，成為所述第二位線，

所述第一布線和所述第二布線形成于同一個(gè)第一布線層，該第一布線層是比所述第一晶體管～所述第六晶體管靠上的上層，

所述第一布線和所述第二布線中的至少一者的、所述第二方向上的寬度，比形成于所述第一布線層的布線中所述第二方向上的寬度為最小的布線寬。