[發明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 202180013655.0
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN115066752A
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 廣瀨雅庸;村瀨泰規
• 申請（專利權）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/82;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L21/8244;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

納米片(21～23)沿X方向按照納米片(21～23)的順序排列而成。納米片(24～26)沿X方向按照納米片(24～26)的順序排列而成。在埋入式布線層中，在俯視時在納米片(22)與納米片(25)之間形成有電源布線(11)。納米片(22)的X方向上的一側即第一側的面從柵極布線(32)露出。納米片(25)的X方向上的另一側即第二側的面從柵極布線(35)露出。

技術領域

本公開涉及一種包括納米片FET(Field Effect Transistor：場效應晶體管)的半導體存儲裝置，尤其涉及一種使用納米片FET的單端口SRAM(Static Random AccessMemory：靜態隨機存取存儲器)單元(以下亦適當地簡稱為單元)的版圖構造。

背景技術

SRAM廣泛應用于半導體集成電路。

LSI的基本構成要素即晶體管通過縮小柵極長度(按比例縮小：scaling)而實現了集成度的提高、工作電壓的降低以及工作速度的提高。但是，近年來，出現的問題是過度地按比例縮小會引起截止電流，截止電流又會引起功耗顯著增大。為解決該問題，人們已開始積極對立體構造晶體管進行研究，即讓晶體管構造從現有的平面型變為立體型。納米片FFT(納米線FET)作為立體構造晶體管之一而備受矚目。

納米片FET中得到提倡的是柵極電極呈叉形的叉片(fork sheet)晶體管。在非專利文獻1、2中公開了使用叉片晶體管的SRAM單元的版圖，實現了半導體存儲裝置的小面積化。

非專利文獻1：P.Weckx et al.，“Stacked nanosheet fork architecture forSRAM design and device co-optimization toward 3nm”，2017 IEEE InternationalElectron Devices Meeting(IEDM)，December 2017，IEDM17-505～508

非專利文獻2：P.Weckx et al.，“Novel forksheet device architecture asultimate logic scaling device towards 2nm”，2019 IEEE International ElectronDevices Meeting(IEDM)，December 2019，IEDM19-871～874

發明內容

-發明要解決的技術問題-

在本說明書中，按照現有技術將柵極電極呈叉形的納米片FET稱為叉片晶體管。

然而，在非專利文獻1中，對于單端口SRAM單元，僅示出了各晶體管的布置結構，并未對包括布線在內的結構進行詳細的研究。

本公開的目的在于：在使用叉片晶體管的單端口SRAM單元的版圖構造中，抑制半導體存儲裝置的面積增大，同時實現半導體存儲裝置的高速化和寫入特性的提高。

-用以解決技術問題的技術方案-