[發(fā)明專利]光接收元件、成像元件和成像裝置

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• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN114930538A
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 井本努
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛

1.一種光接收元件，包括：

傳感器基板，設置有：

光接收區(qū)域，將入射光光電轉換為信號電荷；

一對電壓施加電極，電壓被交替地施加至所述一對電壓施加電極以在所述光接收區(qū)域中生成對所述信號電荷進行時間劃分并且將所述信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場；以及

入射面電極，設置在所述光接收區(qū)域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地電位的電壓；以及

電路板，設置有：

像素晶體管，設置在所述傳感器基板的與所述光的所述入射面相對的表面上并且處理在所述電荷累積電極中累積的所述信號電荷。

2.根據權利要求1所述的光接收元件，

其中，所述入射面電極是通過層壓在所述光的所述入射面上的負固定電荷膜形成在所述入射面上的空穴累積層。

3.根據權利要求1所述的光接收元件，

其中，所述入射面電極是所述光的所述入射面摻雜有P型雜質的P型導電層。

4.根據權利要求1所述的光接收元件，

其中，所述入射面電極是層壓在所述光的所述入射面上的無機電極膜。

5.根據權利要求1所述的光接收元件，

其中，所述入射面電極是具有透光性的膜厚度并且層壓在所述光的所述入射面上的金屬膜。

6.根據權利要求1所述的光接收元件，進一步包括：

像素分離區(qū)域，設置在以矩陣排列的多個所述光接收區(qū)域之間并且電分離相鄰的所述光接收區(qū)域。

7.根據權利要求6所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域從所述光的所述入射面到達朝向所述光接收區(qū)域中的與所述入射面相對的表面的中間部分。

8.根據權利要求7所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域針對所述光接收區(qū)域中的每一個對多個所述光接收區(qū)域以矩陣排列的像素陣列進行劃分，并且使所述像素分離區(qū)域電浮置。

9.根據權利要求6所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域從所述光的所述入射面到達所述傳感器基板的與所述入射面相對的表面。

10.根據權利要求9所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域設置在以矩陣排列的平面圖中具有矩形形狀的多個所述光接收區(qū)域中的拐角部分處，并且連接所述入射面電極與接地布線或負電壓生成電路。

11.根據權利要求6所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域由絕緣體構成。

12.根據權利要求6所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域由表面上設置有絕緣膜的金屬構成。

13.根據權利要求6所述的光接收元件，

其中，所述像素分離區(qū)域由表面上設置有負固定電荷膜的絕緣體構成。

14.一種成像元件，包括：

傳感器基板，設置有：

像素陣列，在所述像素陣列中，將入射光光電轉換為信號電荷的多個光接收區(qū)域以矩陣排列；

一對電壓施加電極，針對所述光接收區(qū)域中的每一個，電壓被交替地施加至所述一對電壓施加電極以在所述光接收區(qū)域中生成對所述信號電荷進行時間劃分并且將所述信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場；以及

入射面電極，設置在所述光接收區(qū)域中的光的入射表面上并且被施加等于或小于接地電位的電壓；以及

電路板，設置有：

像素晶體管，設置在所述傳感器基板的與所述光的所述入射面相對的表面上并且處理在所述電荷累積電極中累積的所述信號電荷。

15.一種成像裝置，包括：

成像光學系統；

傳感器基板，設置有：

像素陣列，在所述像素陣列中，將入射光光電轉換為信號電荷的多個光接收區(qū)域以矩陣排列；

一對電壓施加電極，針對所述光接收區(qū)域中的每一個，電壓被交替地施加至所述一對電壓施加電極以在所述光接收區(qū)域中生成對所述信號電荷進行時間劃分并且將所述信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場；以及

入射面電極，設置在所述光接收區(qū)域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地電位的電壓；以及

電路板，設置有：

像素晶體管，設置在所述傳感器基板的與所述光的所述入射面相對的表面上并且處理在所述電荷累積電極中累積的所述信號電荷。