[發明專利]光接收元件、成像元件和成像裝置在審
| 申請號: | 202180008885.8 | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN114930538A | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 井本努 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接收 元件 成像 裝置 | ||
該光接收元件包括傳感器基板(102)和電路板(101)。傳感器基板(102)設置有光接收區域(103)、一對電壓施加電極以及入射面電極(104)。光接收區域(103)將入射光光電轉換為信號電荷。該對電壓施加電極交替地施加電壓以在光接收區域(103)中生成對信號電荷進行時間劃分并且將信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場。入射面電極(104)設置在光接收區域的光入射面上并且被施加接地電位或接地電位以下的電壓。電路板(101)設置在傳感器基板(102)的與光入射面相對的表面上。電路板(101)設置有由電荷累積電極累積的信號電荷的像素晶體管。
技術領域
本公開涉及光接收元件、成像元件和成像裝置。
背景技術
在使用間接飛行時間(ToF)方法的距離測量系統中使用的光接收元件包括多個光接收像素以矩陣排列的像素陣列。每個光接收像素包括:光接收區域,將入射光光電轉換為信號電荷;以及一對電極,電壓被交替地施加至該對電極以在光接收區域中生成對信號電荷進行時間劃分并且將該信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場。(例如,參照專利文獻1)。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利申請公開第2011-86904號。
發明內容
本發明要解決的問題
然而,隨著光接收像素變得更細,電荷收集效率降低。
因此,本公開提出了能夠提高電荷收集效率的光接收元件、成像元件和成像裝置。
問題的解決方案
根據本公開,提供了一種光接收元件。該光接收元件包括傳感器基板和電路板。傳感器基板設置有光接收區域、一對電壓施加電極以及入射面電極。光接收區域將入射光光電轉換為信號電荷。該對電壓施加電極交替地施加電壓以在光接收區域中生成對信號電荷進行時間劃分并且將信號電荷分配至一對電荷累積電極的電場。入射面電極設置在光接收區域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地電位的電壓。電路板設置在傳感器基板的與光的入射面相對的表面上。電路板設置有處理在電荷累積電極中累積的信號電荷的像素晶體管。
附圖說明
圖1是示出根據本公開的作為光接收元件的示例的固態成像元件的配置示例的示圖。
圖2是示出根據本公開的像素的配置示例的示圖。
圖3是示出根據本公開的像素的信號提取部分的一部分的配置示例的示圖。
圖4是示出根據本公開的像素的電路配置示例的示圖。
圖5是示出根據本公開的電路板與傳感器基板之間的連接模式的示圖。
圖6是根據本公開的入射面電極和像素分離區域的說明圖。
圖7A是示出根據本公開的像素分離區域的配置示例的示圖。
圖7B是示出根據本公開的像素分離區域的配置示例的示圖。
圖7C是示出根據本公開的像素分離區域的配置示例的示圖。
圖8是根據本公開的第一修改的像素分離區域的說明圖。
圖9是根據本公開的第二修改的像素分離區域的說明圖。
圖10是示出根據本公開的像素分離區域的布置示例的示圖。
具體實施方式
在下文中,將基于附圖詳細地描述本公開的實施方式。注意,在以下實施方式中的每一個中,相同部分標注相同參考標號,并省略重復說明。
[1.固態成像元件的配置示例]
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





