[發(fā)明專利]帶載體的金屬箔在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180007276.0 | 申請日： | 2021-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN114845863A | 公開（公告）日： | 2022-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 北畠有紀(jì)子;小出將大;石井林太郎;松浦宜范 | 申請（專利權(quán)）人： | 三井金屬礦業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | B32B15/04 | 分類號： | B32B15/04;C23C14/06;H05K1/09 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 載體 金屬 | ||
1.一種帶載體的金屬箔，其具備：
載體；
剝離功能層，其設(shè)置在所述載體上且包含金屬氮氧化物；以及
金屬層，其設(shè)置在所述剝離功能層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶載體的金屬箔，其中，所述金屬氮氧化物包含選自由TaON、NiON、TiON、NiWON和MoON組成的組中的至少1種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶載體的金屬箔，其中，所述剝離功能層包含：
密合層，其設(shè)置在所述載體上，且包含選自由Cu、Ti、Ta、Cr、Ni、Al、Mo、Zn、W、TiN和TaN組成的組中的至少1種；以及
剝離層，其設(shè)置在所述密合層上，且包含選自由TaON、NiON、TiON、NiWON和MoON組成的組中的至少1種金屬氮氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶載體的金屬箔，其中，所述密合層包含30原子％以上的選自由Cu、Ti、Ta、Cr、Ni、Al、Mo、Zn、W、TiN和TaN組成的組中的至少1種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的帶載體的金屬箔，其中，所述密合層的厚度T1為5nm以上且400nm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述剝離層的通過X射線光電子能譜法(XPS)而測得的構(gòu)成所述金屬氮氧化物的O相對于金屬成分的原子比率為4％以上、且構(gòu)成所述金屬氮氧化物的N相對于金屬成分的原子比率為20％以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3～6中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述剝離層的厚度T2為1nm以上且150nm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求3～7中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述密合層的厚度T1相對于所述剝離層的厚度T2之比、即T1/T2為0.03以上且400以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述載體由玻璃、硅或陶瓷構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述金屬層由選自由Cu、Au和Pt組成的組中的至少1種金屬或合金構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述金屬層的厚度T3為10nm以上且1000nm以下。
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