[發明專利]存儲器及其操作方法、存儲器系統

在審

• 申請號: 202180003644.4
• 申請日: 2021-08-30
• 公開（公告）號: CN113994315A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 郭曉江
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

本申請實施例提供了一種存儲器及其操作方法、存儲器系統，其中，存儲器的操作包括：采用多面編程模式對存儲器的多個存儲面中的至少兩個存儲面同時進行編程操作；確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進行編程操作。

技術領域

本申請實施例涉及半導體領域，特別涉及一種存儲器及其操作方法、存儲器系統。

背景技術

根據存儲器的存儲單元陣列的結構配置，可以將存儲器分為單存儲面(Plane)類型和多存儲面類型。單存儲面類型的存儲器包括一個存儲面；多存儲面類型的存儲器包括多個存儲面。對于多存儲面類型的存儲器，可以采用多面編程模式同時對存儲器的兩個或更多個存儲面進行編程，以提高編程效率。

采用多面編程模式固然能提高編程效率，但不可避免的會存在鄰面干擾的問題，例如，采用多面編程模式的情況下，如果一個存儲面發生編程失敗，經常會在同時編程的其它多個存儲面上發生編程失敗。因此，亟待提供一種編程方法，在保證一定的編程效率的前提下，減小鄰面干擾帶來的不利影響。

發明內容

為解決現有存在的技術問題的一個或多個，本申請實施例提出一種存儲器及其操作方法、存儲器系統。

本申請實施例提供了一種存儲器的操作方法，包括：

采用多面編程模式對存儲器的多個存儲面中的至少兩個存儲面同時進行編程操作；

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進行編程操作。

上述方案中，所述采用單面編程模式，繼續對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進行編程操作，包括：

在采用單面編程模式時，針對每一存儲面，在相應存儲面的第一選中字線上施加第一編程電壓；

其中，所述第一編程電壓小于第二編程電壓；所述第二編程電壓為確定存在編程異常的存儲面時，施加在所述相應存儲面的所述第一選中字線上的編程電壓；所述第一選中字線為確定存在編程異常的存儲面時，相應存儲面的選中字線。

上述方案中，所述方法還包括：

在所述相應存儲面的第一選中字線上施加第一編程電壓時；在所述相應存儲面中未選中的字線上施加第一導通電壓；所述第一導通電壓小于第二導通電壓；所述第二導通電壓為確定存在編程異常的存儲面時，施加在所述相應存儲面的未選中字線上的導通電壓。

上述方案中，所述確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面，包括：

檢測所述至少兩個存儲面中當前編程的存儲單元的編程驗證次數；

當所述編程驗證次數超出當前待寫入數據對應的預設次數時，確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面。

上述方案中，所述方法還包括：

利用不同的電壓源，分別給不同存儲面中的當前編程的存儲單元施加編程驗證電壓。

上述方案中，所述方法還包括：

利用不同的電壓源，分別給同一存儲面中的不同字線對應的存儲單元施加編程驗證電壓。

上述方案中，所述確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進行編程操作，包括：

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，直接采用單面編程模式，繼續對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進行編程操作；或者，