[發(fā)明專利]存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180003644.4
• 申請日: 2021-08-30
• 公開（公告）號: CN113994315A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭曉江
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

1.一種存儲器的操作方法，其特征在于，包括：

采用多面編程模式對存儲器的多個存儲面中的至少兩個存儲面同時進(jìn)行編程操作；

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作，包括：

在采用單面編程模式時，針對每一存儲面，在相應(yīng)存儲面的第一選中字線上施加第一編程電壓；

其中，所述第一編程電壓小于第二編程電壓；所述第二編程電壓為確定存在編程異常的存儲面時，施加在所述相應(yīng)存儲面的所述第一選中字線上的編程電壓；所述第一選中字線為確定存在編程異常的存儲面時，相應(yīng)存儲面的選中字線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述相應(yīng)存儲面的第一選中字線上施加第一編程電壓時；在所述相應(yīng)存儲面中未選中的字線上施加第一導(dǎo)通電壓；所述第一導(dǎo)通電壓小于第二導(dǎo)通電壓；所述第二導(dǎo)通電壓為確定存在編程異常的存儲面時，施加在所述相應(yīng)存儲面的未選中字線上的導(dǎo)通電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面，包括：

檢測所述至少兩個存儲面中當(dāng)前編程的存儲單元的編程驗證次數(shù)；

當(dāng)所述編程驗證次數(shù)超出當(dāng)前待寫入數(shù)據(jù)對應(yīng)的預(yù)設(shè)次數(shù)時，確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

利用不同的電壓源，分別給不同存儲面中的當(dāng)前編程的存儲單元施加編程驗證電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

利用不同的電壓源，分別給同一存儲面中的不同字線對應(yīng)的存儲單元施加編程驗證電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作，包括：

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，直接采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作；或者，

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，暫停編程操作；在接收到第二指令后采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，保存第一標(biāo)記；

接收到第一指令時，利用所述存儲器中的其它存儲面存儲分配給存在編程異常的存儲面中存儲數(shù)據(jù)；所述第一指令用于指示將第一標(biāo)記中對應(yīng)的存儲面中存儲數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)存。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用單面編程模式繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作，包括：

對所述至少兩個存儲面中的第一存儲面繼續(xù)進(jìn)行編程操作；

確定所述第一存儲面編程失敗或者編程完成時，對所述至少兩個存儲面中的第二存儲面繼續(xù)進(jìn)行編程操作。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

確定所述至少兩個存儲面中不存在編程異常的存儲面時，采用所述多面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面進(jìn)行編程操作。

11.一種存儲器，其特征在于，包括：多個存儲面及與所述存儲面耦接的外圍電路；其中，

所述外圍電路配置為，采用多面編程模式對所述多個存儲面中的至少兩個存儲面同時進(jìn)行編程操作；確定所述至少兩個存儲面中存在編程異常的存儲面時，采用單面編程模式，繼續(xù)對所述至少兩個存儲面中的每個存儲面依次進(jìn)行編程操作。