[發(fā)明專(zhuān)利]三維存儲(chǔ)器及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180003208.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114080685A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許宗珂;袁彬;張強(qiáng)威;許波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/1157 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376 | 代理人: | 林錦輝;劉景峰 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲(chǔ)器 及其 制作方法 | ||
本公開(kāi)涉及一種三維存儲(chǔ)器及其制作方法,該三維存儲(chǔ)器包括:柵極堆疊結(jié)構(gòu),柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括沿第一方向并列設(shè)置且直接接觸的核心區(qū)和臺(tái)階區(qū);虛擬分隔結(jié)構(gòu),在第一方向貫穿臺(tái)階區(qū);柵極分隔結(jié)構(gòu),在第一方向貫穿核心區(qū),柵極分隔結(jié)構(gòu)具有在第一方向與虛擬分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第一端部,虛擬分隔結(jié)構(gòu)具有在第一方向與柵極分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第二端部,且第一端部位于第二端部?jī)?nèi)。
【相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用】
本申請(qǐng)要求享受于2020年11月25日遞交的、標(biāo)題為“三維存儲(chǔ)器及其制作方法”的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.202011338956.4的優(yōu)先權(quán),在此以引用的方式將上述申請(qǐng)的內(nèi)容明確地并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本公開(kāi)涉及一種三維存儲(chǔ)器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
隨著技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體工業(yè)不斷尋找新的生產(chǎn)方式,以使得存儲(chǔ)器裝置中的每一存儲(chǔ)器裸片具有更多數(shù)量的存儲(chǔ)器單元。其中,3D NAND(三維與非門(mén))存儲(chǔ)器由于其存儲(chǔ)密度高、成本低等優(yōu)點(diǎn),已成為目前較為前沿、且極具發(fā)展?jié)摿Φ娜S存儲(chǔ)器技術(shù)。
【發(fā)明內(nèi)容】
本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種三維存儲(chǔ)器,該三維存儲(chǔ)器包括:柵極堆疊結(jié)構(gòu),柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括沿第一方向并列設(shè)置且直接接觸的核心區(qū)和臺(tái)階區(qū);虛擬分隔結(jié)構(gòu),在第一方向貫穿臺(tái)階區(qū);柵極分隔結(jié)構(gòu),在第一方向貫穿核心區(qū),柵極分隔結(jié)構(gòu)具有在第一方向與虛擬分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第一端部,虛擬分隔結(jié)構(gòu)具有在第一方向與柵極分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第二端部,且第一端部位于第二端部?jī)?nèi)。
例如,第二端部包括兩個(gè)夾持子部,第一端部在垂直于第一方向的第二方向上位于兩個(gè)夾持子部之間,且與兩個(gè)夾持子部直接接觸。
例如,夾持子部在垂直于第一方向的第二方向上的寬度,沿第一方向從臺(tái)階區(qū)向核心區(qū)的方向逐漸增大。
例如,第二端部還包括連接子部,連接子部與兩個(gè)夾持子部相連接。
例如,連接子部與第一端部直接接觸。
例如,虛擬分隔結(jié)構(gòu)還包括與第二端部并列布置且直接接觸的第二延伸部。
例如,第二延伸部沿第一方向延伸。
例如,第二端部在垂直于第一方向的第二方向上的寬度大于第二延伸部在第二方向上的寬度。
例如,第二端部在第二方向上的寬度,沿第一方向從臺(tái)階區(qū)向核心區(qū)的方向逐漸增大。
例如,第二端部在第二方向上的寬度,沿第一方向從臺(tái)階區(qū)向核心區(qū)的方向先逐漸增大再逐漸減小。
例如,虛擬分隔結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為絕緣材料。
例如,柵極分隔結(jié)構(gòu)還包括與第一端部并列布置且直接接觸的第一延伸部,且第一端部的四周被第一延伸部和第二端部共同包圍。
例如,第一延伸部沿第一方向延伸。
例如,第一端部至少有一部分在垂直于第一方向的第二方向上的寬度大于第一延伸部在第二方向上的寬度。
例如,第一端部在第二方向上的寬度,沿第一方向從核心區(qū)向臺(tái)階區(qū)的方向逐漸增大。
例如,第一端部在第二方向上的寬度,沿第一方向從核心區(qū)向臺(tái)階區(qū)的方向先逐漸增大再逐漸減小。
例如,第一端部沿第一方向延伸至臺(tái)階區(qū)內(nèi)。
例如,第一端部在垂直于第一方向的第二方向上的最大寬度不大于第二端部在第二方向上的最小寬度。
例如,柵極分隔結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及在垂直于第一方向的第二方向上位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與柵極堆疊結(jié)構(gòu)之間的電絕緣層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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