[發(fā)明專利]三維存儲器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180003208.7 | 申請日: | 2021-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN114080685A | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許宗珂;袁彬;張強威;許波 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/1157 | 分類號: | H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376 | 代理人: | 林錦輝;劉景峰 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器,包括:
柵極堆疊結(jié)構(gòu),所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括沿第一方向并列設(shè)置且直接接觸的核心區(qū)和臺階區(qū);
虛擬分隔結(jié)構(gòu),在所述第一方向貫穿所述臺階區(qū);
柵極分隔結(jié)構(gòu),在所述第一方向貫穿所述核心區(qū),所述柵極分隔結(jié)構(gòu)具有在所述第一方向與所述虛擬分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第一端部,所述虛擬分隔結(jié)構(gòu)具有在所述第一方向與所述柵極分隔結(jié)構(gòu)相接觸的第二端部,且所述第一端部位于所述第二端部內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其中,所述第二端部包括兩個夾持子部,所述第一端部在垂直于所述第一方向的第二方向上位于兩個所述夾持子部之間,且與兩個所述夾持子部直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲器,其中,所述夾持子部在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度,沿所述第一方向從所述臺階區(qū)向所述核心區(qū)的方向逐漸增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲器,其中,所述第二端部還包括連接子部,所述連接子部與兩個所述夾持子部相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器,其中,所述連接子部與所述第一端部直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其中,所述虛擬分隔結(jié)構(gòu)還包括與所述第二端部并列布置且直接接觸的第二延伸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲器,其中,所述第二延伸部沿所述第一方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲器,其中,所述第二端部在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度大于所述第二延伸部在所述第二方向上的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三維存儲器,其中,所述第二端部在所述第二方向上的寬度,沿所述第一方向從所述臺階區(qū)向所述核心區(qū)的方向逐漸增大。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三維存儲器,其中,所述第二端部在所述第二方向上的寬度,沿所述第一方向從所述臺階區(qū)向所述核心區(qū)的方向先逐漸增大再逐漸減小。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其中,所述虛擬分隔結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為絕緣材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11所述的三維存儲器,其中,所述柵極分隔結(jié)構(gòu)還包括與所述第一端部并列布置且直接接觸的第一延伸部,且所述第一端部的四周被所述第一延伸部和所述第二端部共同包圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的三維存儲器,其中,所述第一延伸部沿所述第一方向延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的三維存儲器,其中,所述第一端部至少有一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度大于所述第一延伸部在所述第二方向上的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的三維存儲器,其中,所述第一端部在所述第二方向上的寬度,沿所述第一方向從所述核心區(qū)向所述臺階區(qū)的方向逐漸增大。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的三維存儲器,其中,所述第一端部在所述第二方向上的寬度,沿所述第一方向從所述核心區(qū)向所述臺階區(qū)的方向先逐漸增大再逐漸減小。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-11所述的三維存儲器,其中,所述第一端部沿所述第一方向延伸至所述臺階區(qū)內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1-11所述的三維存儲器,其中,所述第一端部在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大寬度不大于所述第二端部在所述第二方向上的最小寬度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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