[發明專利]存儲器器件及其異步多面獨立讀取操作在審
| 申請號: | 202180001096.1 | 申請日: | 2021-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN113892139A | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 鄧佳梁;段竺琴;石蕾;潘月松;劉艷蘭;李博 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | G11C16/04 | 分類號: | G11C16/04;G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 林錦輝 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 器件 及其 異步 多面 獨立 讀取 操作 | ||
1.一種存儲器器件,包括:
N個存儲器面,其中,N是大于1的整數;
第一微控制器單元(MCU),所述第一微控制器單元被配置為提供用于所述N個存儲器面中的一個存儲器面的異步多面獨立(AMPI)讀取控制信號,以控制對所述存儲器面的AMPI讀取操作,并且提供用于所述N個存儲器面中的每個存儲器面的非AMPI讀取控制信號,以控制對每個存儲器面的非AMPI讀取操作;
N-1個AMPI讀取單元,每個所述AMPI讀取單元被配置為提供用于N-1個存儲器面中的相應存儲器面的AMPI讀取控制信號,以控制對所述相應存儲器面的AMPI讀取操作;以及
多路復用電路,所述多路復用電路耦合到所述N個存儲器面、所述第一MCU和所述N-1個AMPI讀取單元,并且被配置為在非AMPI讀取操作中,將非AMPI讀取控制信號從所述第一MCU引導到每個存儲器面,并且在AMPI讀取操作中,將N個AMPI讀取控制信號中的每個AMPI讀取控制信號從所述第一MCU或者所述N-1個AMPI讀取單元中的對應AMPI讀取單元引導到所述相應存儲器面。
2.根據權利要求1所述的存儲器器件,還包括:
接口,所述接口耦合到所述多路復用電路并且被配置為控制所述多路復用電路,以在所述非AMPI讀取操作中,將所述非AMPI讀取控制信號從所述第一MCU引導到每個存儲器面,并且在所述AMPI讀取操作中,將每個AMPI讀取控制信號從所述第一MCU或所述對應AMPI讀取單元引導到所述相應存儲器面。
3.根據權利要求1或2所述的存儲器器件,其中,每個存儲器面被配置為響應于接收到相應AMPI讀取控制信號而獨立地并且異步地執行讀取操作。
4.根據權利要求1-3中的任何一項所述的存儲器器件,其中,所述非AMPI讀取操作包括同步多面獨立(SMPI)讀取操作、編程操作或擦除操作。
5.根據權利要求4所述的存儲器器件,其中,每個存儲器面被配置為響應于接收到SMPI讀取控制信號而獨立地并且同步地執行讀取操作。
6.根據權利要求2所述的存儲器器件,其中,
所述多路復用電路包括N-1個多路復用器(MUX),所述N-1個多路復用器分別將所述N-1個AMPI讀取單元耦合到所述N-1個存儲器面;并且
所述N-1個MUX中的每個MUX包括耦合到所述N-1個存儲器面中的相應存儲器面的輸出、從所述第一MCU接收所述非AMPI讀取控制信號的第一輸入、以及從相應AMPI讀取單元接收所述AMPI讀取控制信號的第二輸入。
7.根據權利要求6所述的存儲器器件,其中,所述接口包括指令解碼器,所述指令解碼器被配置為響應于獲得AMPI讀取指令,控制所述MUX中的一個MUX以使能從所述第二輸入輸出對應AMPI讀取控制信號。
8.根據權利要求7所述的存儲器器件,其中,所述指令解碼器還被配置為響應于獲得非AMPI讀取指令,控制每個MUX以使能從所述第一輸入輸出所述非AMPI讀取控制信號。
9.根據權利要求2所述的存儲器器件,其中,所述接口包括指令解碼器,所述指令解碼器被配置為:
響應于獲得AMPI讀取指令,控制所述第一MCU或者所述AMPI讀取單元中的一個AMPI讀取單元以基于所述AMPI讀取指令來生成對應AMPI讀取控制信號;并且
響應于獲得非AMPI讀取指令,控制所述第一MCU以基于所述非AMPI讀取指令來生成所述非AMPI讀取控制信號。
10.根據權利要求1-9中的任何一項所述的存儲器器件,其中,所述多路復用電路包括所述第一MCU與對應存儲器面之間的一對一連接。
11.根據權利要求1-10中的任何一項所述的存儲器器件,其中,所述N-1個AMPI讀取單元中的每個AMPI讀取單元包括第二MCU。
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