[發明專利]存儲器器件及其異步多面獨立讀取操作

在審

• 申請號: 202180001096.1
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113892139A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 鄧佳梁;段竺琴;石蕾;潘月松;劉艷蘭;李博
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C8/08;G11C7/12
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

在某些方面中，公開了一種用于操作存儲器器件的方法。存儲器器件包括多個存儲器面。確定指令是異步多面獨立(AMPI)讀取指令還是非AMPI讀取指令。響應于指令是AMPI讀取指令，基于AMPI讀取指令生成AMPI讀取控制信號，并且將AMPI讀取控制信號引導到存儲器面中的對應存儲器面。響應于指令是非AMPI讀取指令，基于非AMPI讀取指令生成非AMPI讀取控制信號，并且將非AMPI讀取控制信號引導到存儲器面中的每個存儲器面。

背景技術

本公開涉及存儲器器件及其操作。

閃存存儲器是一種可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性的固態存儲介質。閃存存儲器包括NOR閃存存儲器和NAND閃存存儲器。可以由閃存存儲器執行各種操作，例如，讀取、編程(寫入)和擦除，以將每個存儲器單元的閾值電壓改變為期望電平。對于NAND閃存存儲器，可以在塊級執行擦除操作，并且可以在頁級執行編程操作或讀取操作。

發明內容

在一個方面中，一種存儲器器件包括N個存儲器面(其中，N是大于1的整數)，第一微控制器單元(MCU)，N-1個AMPI讀取單元，以及耦合到N個存儲器面、第一MCU和N-1個AMPI讀取單元的多路復用電路。第一MCU被配置為提供用于N個存儲器面中的一個存儲器面的異步多面獨立(AMPI)讀取控制信號，以控制對存儲器面的AMPI讀取操作，并且提供用于N個存儲器面中的每個存儲器面的非AMPI讀取控制信號，以控制對每個存儲器面的非AMPI讀取操作。每個AMPI讀取單元被配置為提供用于N-1個存儲器面中的相應存儲器面的AMPI讀取控制信號，以控制對相應存儲器面的AMPI讀取操作。多路復用電路被配置為在非AMPI讀取操作中，將非AMPI讀取控制信號從第一MCU引導到每個存儲器面，并且在AMPI讀取操作中，將N個AMPI讀取控制信號中的每個AMPI讀取控制信號從第一MCU或者N-1個AMPI讀取單元中的對應AMPI讀取單元引導導相應存儲器面。

在另一方面中，一種系統包括被配置為存儲數據的存儲器器件和耦合到存儲器器件的存儲器控制器，存儲器控制器被配置為將AMPI讀取指令或非AMPI讀取指令發送到存儲器器件，以控制存儲器器件的對所存儲的數據的操作。存儲器器件包括N個存儲器面(其中，N是大于1的整數)，第一MCU，N-1個AMPI讀取單元，耦合到N個存儲器面、第一MCU和N-1個AMPI讀取單元的多路復用電路，以及耦合到多路復用電路的接口。第一MCU被配置為提供用于N個存儲器面中的一個存儲器面的AMPI讀取控制信號，以控制對存儲器面的AMPI讀取操作，并且提供用于N個存儲器面中的每個存儲器面的非AMPI讀取控制信號，以控制對每個存儲器面的非AMPI讀取操作。每個AMPI讀取單元被配置為提供用于N-1個存儲器面中的相應存儲器面的AMPI讀取控制信號，以控制對相應存儲器面的AMPI讀取操作。多路復用電路被配置為將控制信號從第一MCU或者N-1個AMPI讀取單元中的對應AMPI讀取單元引導到N個存儲器面中的對應存儲器面。接口被配置為控制多路復用電路，以在非AMPI讀取操作中，將非AMPI讀取控制信號從第一MCU引導到每個存儲器面，并且在AMPI讀取操作中，將N個AMPI讀取控制信號中的每個AMPI讀取控制信號從第一MCU或對應AMPI讀取單元引導到相應存儲器面。

在又一方面中，公開了一種用于操作存儲器器件的方法。存儲器器件包括多個存儲器面。確定指令是AMPI讀取指令還是非AMPI讀取指令。響應于指令是AMPI讀取指令，基于AMPI讀取指令生成AMPI讀取控制信號，并且將AMPI讀取控制信號引導到存儲器面中的對應存儲器面。響應于指令是非AMPI讀取指令，基于非AMPI讀取指令生成非AMPI讀取控制信號，并且將非AMPI讀取控制信號引導到存儲器面中的每個存儲器面。

附圖說明

并入本文并且形成說明書的一部分的附圖示出了本公開的方面，并且與描述一起進一步用于解釋本公開并且使相關領域的技術人員能夠制成和使用本公開。

圖1示出了根據本公開的一些方面的具有存儲器器件的示例性系統的塊圖。

圖2A示出了根據本公開的一些方面的具有存儲器器件的示例性存儲器卡的示圖。