[發明專利]三維存儲器器件擦除操作

有效

• 申請號: 202180000743.7
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113168870B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 夏仕鈺;許鋒;靳磊;遠杰;謝學準;陳文強
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種三維(3D)存儲器器件，包括：

多個存儲器層和在所述多個存儲器層之間的虛設存儲器層；

NAND存儲器串，所述NAND存儲器串延伸穿過所述存儲器層和所述虛設存儲器層，所述NAND存儲器串包括源極、漏極和在與所述多個存儲器層的交叉處并且在所述源極與所述漏極之間的多個存儲器單元；以及

外圍電路，所述外圍電路被配置為擦除所述多個存儲器單元，其中，為了擦除所述多個存儲器單元，所述外圍電路包括字線驅動電路，所述字線驅動電路被配置為：在所述虛設存儲器層上施加正偏置電壓，并且

其中，所述NAND存儲器串還包括漏極選擇柵極(DSG)，并且所述外圍電路還包括漏極選擇柵極線驅動電路，所述漏極選擇柵極線驅動電路被配置為：在擦除所述多個存儲器單元的操作中，在所述漏極選擇柵極上施加正漏極選擇柵極電壓，所述正漏極選擇柵極電壓低于或等于所述正偏置電壓，并且

其中，所述NAND存儲器串還包括在所述漏極選擇柵極與所述多個存儲器層之間的虛設漏極選擇柵極，其中，所述外圍電路還包括虛設漏極選擇柵極線驅動電路。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其中，所述字線驅動電路還被配置為在所述多個存儲器層上施加地電壓。

3.根據權利要求1或2所述的三維存儲器器件，其中，所述多個存儲器層被劃分為第一存儲器層面和在所述第一存儲器層面上方的第二存儲器層面，并且其中，所述虛設存儲器層在所述第一存儲器層面與所述第二存儲器層面之間。

4.根據權利要求1-2中的任何一項所述的三維存儲器器件，其中

所述虛設存儲器層包括連續地布置的多個虛設存儲器層；并且

所述正偏置電壓包括分別施加在所述多個虛設存儲器層上的在相同正值處的多個正偏置電壓。

5.根據權利要求1-2中的任何一項所述的三維存儲器器件，包括：

源極線驅動電路，所述源極線驅動電路被配置在所述NAND存儲器串的所述源極上施加正源極線電壓；以及

位線驅動電路，所述位線驅動電路被配置為在所述NAND存儲器串的所述漏極上施加正位線電壓，其中，所述虛設存儲器層上的所述正偏置電壓低于所述正源極線電壓和所述正位線電壓。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器器件，其中

所述正源極線電壓和所述正位線電壓均在20V到25V之間；并且

所述正偏置電壓在12V到20V之間。

7.根據權利要求5所述的三維存儲器器件，其中，所述正源極線電壓和所述正位線電壓具有相同值。

8.根據權利要求5所述的三維存儲器器件，其中，所述正漏極選擇柵極電壓低于所述正源極線電壓和所述正位線電壓中的每一個。

9.根據權利要求5所述的三維存儲器器件，其中，所述NAND存儲器串還包括源極選擇柵極(SSG)，并且所述外圍電路還包括源極選擇柵極線驅動電路，所述源極選擇柵極線驅動電路被配置為：

在所述源極選擇柵極上施加正源極選擇柵極電壓，所述正源極選擇柵極電壓(i)低于或等于所述正偏置電壓，并且(ii)低于所述正源極線電壓和所述正位線電壓中的每一個。

10.根據權利要求8所述的三維存儲器器件，其中，所述正漏極選擇柵極電壓在10V到16V之間。

11.根據權利要求9所述的三維存儲器器件，其中，所述正源極選擇柵極電壓在10V到16V之間。

12.根據權利要求8所述的三維存儲器器件，其中，所述虛設漏極選擇柵極線驅動電路被配置為：

在虛設漏極選擇柵極上施加虛設漏極選擇柵極電壓，所述虛設漏極選擇柵極電壓在0V到10V之間。