[實用新型]一種mos晶體管

有效

• 申請號: 202123305010.0
• 申請日: 2021-12-24
• 公開（公告）號: CN216389380U
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 蘇佩忠
• 申請（專利權）人: 深圳市杜因特半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市匯信知識產權代理有限公司 44477
• 代理人: 張志凱

本實用新型公開了一種mos晶體管，涉及一種晶體管，本申請包括襯底、柵極、源級、漏級和溝道區，所述柵極設置有兩組，所述源級和漏級對稱在所述溝道區兩側，所述溝道區上下對稱設置有柵極，所述柵極呈T型結構，所述T型結構延伸至溝道區內部，所述柵極的T型底部呈弧型，所述源級、柵極、漏級和溝道區設置在襯底上。在本申請中，首先通過將柵極對稱設置在源級、漏級和溝道的兩側，使得能夠在兩側的柵極均能夠施加電壓，使得mos晶體管導通工作，從而能夠降低靜態損耗，同時本申請通過采用T型的柵極，使得能夠提高mos晶體管的電學性能，從而使得mos晶體管能夠快速的實現開關狀態。

技術領域

本實用新型涉及一種晶體管，具體是一種mos晶體管。

背景技術

金屬-氧化物-半導體結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為MOS晶體管。

在mos晶體管中對柵極施加電壓，使得mos晶體管導通，在導通后隨著源級和漏級之間的電壓增大，會使得溝道區的的作用長度變短，從而影響mos晶體管的正常使用。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種mos晶體管，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種mos晶體管，包括襯底、柵極、源級、漏級和溝道區，所述柵極設置有兩組，所述源級和漏級對稱在所述溝道區兩側，所述溝道區上下對稱設置有柵極，所述柵極呈T型結構，所述T型結構延伸至溝道區內部，所述柵極的T型底部呈弧型，所述源級、柵極、漏級和溝道區設置在襯底上。

作為本實用新型進一步的方案：所述柵極包括柵結構、柵極金屬板、氧化物層和氧化鋁層，所述襯底上固定有氧化鋁層，所述氧化鋁層側邊設置有氧化物層，所述氧化物層上設置有柵結構，所述柵結構側邊固定有柵極金屬板，所述柵結構、氧化物層和氧化鋁層均呈T型。

作為本實用新型再進一步的方案：所述氧化物層采用的是氧化鉿。

作為本實用新型再進一步的方案：所述源級包括源級金屬板、N型輕摻區和N型重摻區，所述襯底上設置有N型輕摻區，所述N型輕摻區連接在溝道區側邊，所述N型輕摻區側邊設置有N型重摻區，所述N型重摻區端部固定有源級金屬板。

作為本實用新型再進一步的方案：所述漏級包括漏級金屬板、N型輕摻區和N型重摻區，所述襯底上設置有N型輕摻區，所述N型輕摻區連接在溝道區側邊，所述N型輕摻區側邊設置有N型重摻區，所述N型重摻區端部固定有漏級金屬板。

作為本實用新型再進一步的方案：所述溝道區采用的是金屬硫族化合物，所述襯底采用的是硅。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：在本申請中，首先通過將柵極對稱設置在源級、漏級和溝道的兩側，使得能夠在兩側的柵極均能夠施加電壓，使得mos晶體管導通工作，從而能夠降低靜態損耗，同時本申請通過采用T型的柵極，使得能夠提高mos晶體管的電學性能，從而使得mos晶體管能夠快速的實現開關狀態。

附圖說明

圖1為mos晶體管的結構示意圖。

附圖標記說明：1、柵結構；2、柵極金屬板；3、氧化物；4、源級金屬板；5、溝道區；6、N型輕摻區；7、漏級金屬板；8、N型重摻區；9、氧化鋁層；10、襯底。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。