[實用新型]一種mos晶體管

有效

• 申請號: 202123305010.0
• 申請日: 2021-12-24
• 公開（公告）號: CN216389380U
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 蘇佩忠
• 申請（專利權）人: 深圳市杜因特半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市匯信知識產權代理有限公司 44477
• 代理人: 張志凱

1.一種mos晶體管，其特征在于，包括襯底(10)、柵極、源級、漏級和溝道區(5)，所述柵極設置有兩組，所述源級和漏級對稱在所述溝道區(5)兩側，所述溝道區(5)上下對稱設置有柵極，所述柵極呈T型結構，所述T型結構延伸至溝道區(5)內部，所述柵極的T型底部呈弧型，所述源級、柵極、漏級和溝道區(5)設置在襯底(10)上。

2.根據權利要求1所述的mos晶體管，其特征在于，所述柵極包括柵結構(1)、柵極金屬板(2)、氧化物層(3)和氧化鋁層(9)，所述襯底(10)上固定有氧化鋁層(9)，所述氧化鋁層(9)側邊設置有氧化物層(3)，所述氧化物層(3)上設置有柵結構(1)，所述柵結構(1)側邊固定有柵極金屬板(2)，所述柵結構(1)、氧化物層(3)和氧化鋁層(9)均呈T型。

3.根據權利要求2所述的mos晶體管，其特征在于，所述氧化物層(3)采用的是氧化鉿。

4.根據權利要求1所述的mos晶體管，其特征在于，所述源級包括源級金屬板(4)、N型輕摻區(6)和N型重摻區(8)，所述襯底(10)上設置有N型輕摻區(6)，所述N型輕摻區(6)連接在溝道區(5)側邊，所述N型輕摻區(6)側邊設置有N型重摻區(8)，所述N型重摻區(8)端部固定有源級金屬板(4)。

5.根據權利要求1所述的mos晶體管，其特征在于，所述漏級包括漏級金屬板(7)、N型輕摻區(6)和N型重摻區(8)，所述襯底(10)上設置有N型輕摻區(6)，所述N型輕摻區(6)連接在溝道區(5)側邊，所述N型輕摻區(6)側邊設置有N型重摻區(8)，所述N型重摻區(8)端部固定有漏級金屬板(7)。

6.根據權利要求1所述的mos晶體管，其特征在于，所述溝道區(5)采用的是金屬硫族化合物，所述襯底(10)采用的是硅。