[實(shí)用新型]一種帶有TSV通孔束的封裝結(jié)構(gòu)和3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202123286028.0
• 申請(qǐng)日: 2021-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN216698354U
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊嘉祺;孫鵬;徐成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海先方半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種帶有TSV通孔束的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一電接觸部；

第二電接觸部；

功能層，其布置在第一電接觸部與第二電接觸部之間；以及

TSV通孔束，其具有多個(gè)具有第一尺寸的第一TSV通孔，所述多個(gè)第一TSV通孔貫穿所述功能層以用于將第一電接觸部與第二電接觸部彼此電連接，其中所述多個(gè)第一TSV通孔被布置為使得它們共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的帶有TSV通孔束的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電接觸部是金屬布線層和焊盤中的一種或兩種；以及

所述第二電接觸部是金屬布線層、焊盤中的一種或兩種。

3.一種帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

轉(zhuǎn)接板，包括：

第一芯片；

第一TSV通孔束，其貫穿所述第一芯片，所述第一TSV通孔束包括多個(gè)具有第一尺寸的TSV通孔，其中所述多個(gè)TSV通孔被布置為使得它們共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸；

第一金屬布線層，其位于所述轉(zhuǎn)接板的正面，并與所述第一TSV通孔束電連接；

第一絕緣層，其包裹所述第一金屬布線層；

第一凸點(diǎn)，其與所述第一金屬布線層電連接；

第一焊盤，其位于所述轉(zhuǎn)接板的背面，與所述第一TSV通孔束電連接；

第一焊球，其與所述第一焊盤電連接；

完成線路制作的芯片，其倒裝在所述轉(zhuǎn)接板的正面；

3DIC芯片堆疊結(jié)構(gòu)，其位于所述轉(zhuǎn)接板的正面；以及

封裝基板，其位于所述轉(zhuǎn)接板的背面。

4.如權(quán)利要求3所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述完成線路制作的芯片包括：

第二芯片；

第二金屬布線層，其位于所述第一芯片的正面；

第二絕緣層，其位于所述第二芯片的正面，并包裹所述第二金屬布線層；以及

第二凸點(diǎn)，與所述第二金屬布線層電連接。

5.如權(quán)利要求3所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述3DIC芯片堆疊結(jié)構(gòu)包括：

多個(gè)第三芯片；

第二TSV通孔束，其貫穿所述第三芯片，所述第二TSV通孔束包括多個(gè)具有第三尺寸的TSV通孔，其中所述多個(gè)TSV通孔被布置為使得它們共同形成具有第四尺寸的TSV通孔，其中第三尺寸小于第四尺寸；

第二焊盤，其與位于所述第三芯片的正面和背面，并與所述第二TSV通孔束電連接；

第三凸點(diǎn)，其與所述第二焊盤電連接；以及

第一填充層，其位于兩個(gè)所述第三芯片之間，并包裹第三凸點(diǎn)。

6.如權(quán)利要求5所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述3DIC芯片堆疊結(jié)構(gòu)的最上層的第三芯片中沒有TSV通孔束，并且有一面帶有第二焊盤；

多個(gè)所述第三芯片通過第三凸點(diǎn)和第二焊盤的焊接實(shí)現(xiàn)堆疊。

7.如權(quán)利要求3所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板包括：

基板；

第三TSV通孔，其貫穿所述基板；

第三金屬布線層，其位于所述基板的正面和背面，并與所述第三TSV通孔電連接；

第三絕緣層，其位于所述基板的正面和背面，并包裹所述第三金屬布線層；

第三焊盤，其與所述基板正面和背面的第三金屬布線層電連接；以及

第二焊球，其與所述封裝基板背面的第三焊盤電連接。

8.如權(quán)利要求3或4所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過焊接所述第一凸點(diǎn)與第二凸點(diǎn)將所述完成線路制作的芯片連接至所述轉(zhuǎn)接板的正面。

9.如權(quán)利要求3或5所述的帶有TSV通孔束的3DIC芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過焊接所述第一凸點(diǎn)與第三凸點(diǎn)將所述3DIC芯片堆疊結(jié)構(gòu)連接至所述轉(zhuǎn)接板的正面。