[實(shí)用新型]一種Micro OLED結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202123161475.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN216389375U | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張亞東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人: | 方文倩 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 micro oled 結(jié)構(gòu) | ||
本實(shí)用新型公開了Micro OLED結(jié)構(gòu),包括CMOS基板,在CMOS基板上設(shè)有OC層,其特征在于:所述OC層邊緣設(shè)有防水膠圈,所述OC層上涂布OCR膠層,所述OCR膠層上設(shè)置玻璃蓋板。本實(shí)用新型Micro OLED結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,邊緣封裝性好,防止水氣侵入,提升產(chǎn)品整體質(zhì)量,具有較強(qiáng)的實(shí)用性和較好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于顯示屏技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種Micro OLED 結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一種微型OLED顯示技術(shù),主要應(yīng)用于特種軍用顯示(槍支瞄準(zhǔn)鏡/單兵作戰(zhàn)頭盔顯示器/飛行員頭盔等)以及民用消費(fèi)電子領(lǐng)域(AR/VR/微型投影儀/航空拍攝等),Micro OLED具有體積小/重量輕/功耗低/對(duì)比度高/分辨率高等優(yōu)點(diǎn),預(yù)計(jì)在接下來幾年將會(huì)迎來爆發(fā)式增長。
在micro OLED的制程中,需要用到TFE(Thin Film Encapsulation,薄膜封裝)技術(shù),主要是隔絕水氧,保護(hù)發(fā)光材料不受腐蝕,產(chǎn)片邊緣處會(huì)成為水汽入侵的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn),影響產(chǎn)品的質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,邊緣封裝性好,防止水氣侵入,提升產(chǎn)品整體質(zhì)量的Micro OLED結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為:所提供的這種Micro OLED結(jié)構(gòu),包括CMOS基板,在CMOS基板上設(shè)有OC層,其特征在于:所述 OC層邊緣設(shè)有防水膠圈,所述OC層上涂布OCR膠層,所述OCR膠層上設(shè)置玻璃蓋板。
為使上述技術(shù)方案更加詳盡和具體,本實(shí)用新型還提供以下更進(jìn)一步的優(yōu)選技術(shù)方案,以獲得滿意的實(shí)用效果:
所述防水膠圈寬度為100um-1000um,所述OCR膠層邊緣填充在所述防水膠圈與OC層邊緣之間。
所述玻璃蓋板邊緣覆蓋所述防水膠圈。
所述CMOS基板上設(shè)有陽極及像素定義層。
所述陽極及像素定義層上設(shè)有發(fā)光層。
在所述發(fā)光層上進(jìn)行薄膜封裝形成封裝層。
在所述封裝層上形成所述OC層。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型Micro OLED 結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,邊緣封裝性好,防止水氣侵入,提升產(chǎn)品整體質(zhì)量,具有較強(qiáng)的實(shí)用性和較好的應(yīng)用前景。
附圖說明
下面對(duì)本說明書的附圖所表達(dá)的內(nèi)容及圖中的標(biāo)記作簡(jiǎn)要說明:
圖1為本實(shí)用新型Micro OLED結(jié)構(gòu)封裝過程示意圖;
圖2為本實(shí)用新型Micro OLED結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖中標(biāo)記為:1、CMOS基板,2、陽極,3、像素定義層,4、發(fā)光層,5、 OC層,6、OCR膠層,7、防水膠圈,8、玻璃蓋板。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)照附圖,通過對(duì)實(shí)施例的描述,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
在本實(shí)用新型的描述中,需要說明的是,術(shù)語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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