[實用新型]一種Micro OLED結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202123161475.3 | 申請日: | 2021-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN216389375U | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張亞東 | 申請(專利權)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權代理有限公司 34107 | 代理人: | 方文倩 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 micro oled 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種Micro OLED結(jié)構(gòu),包括CMOS基板,在CMOS基板上設有OC層,其特征在于:所述OC層邊緣設有防水膠圈,所述OC層上涂布OCR膠層,所述OCR膠層上設置玻璃蓋板。
2.按照權利要求1所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:所述防水膠圈寬度為100um-1000um,所述OCR膠層邊緣填充在所述防水膠圈與OC層邊緣之間。
3.按照權利要求2所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:所述玻璃蓋板邊緣覆蓋所述防水膠圈。
4.按照權利要求1所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:所述CMOS基板上設有陽極及像素定義層。
5.按照權利要求4所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:所述陽極及像素定義層上設有發(fā)光層。
6.按照權利要求5所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:在所述發(fā)光層上進行薄膜封裝形成封裝層。
7.按照權利要求6所述的Micro OLED結(jié)構(gòu),其特征在于:在所述封裝層上形成所述OC層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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