[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 202122906026.0
• 申請日: 2021-11-24
• 公開（公告）號: CN216435904U
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 童宇誠;張欽福
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

本實用新型公開了半導體裝置，包括襯底、有源區、以及絕緣結構。有源區相互平行且相互分隔地定義在襯底內，各有源區包括有源鰭片以及設置于有源鰭片兩側的有源端部，有源鰭片以及有源端部分別包括不同的材質。絕緣結構設置在襯底內，環繞有源區，絕緣結構包括第一絕緣層以及多個第二絕緣層，其中，第二絕緣層系分別設置于相鄰的有源區之間并且被第一絕緣層環繞。在此設置下，可改善有源區的延伸范圍，確保后續形成的存儲接觸插塞結構可與有源區直接且穩定的接觸。

技術領域

本實用新型涉及一種半導體裝置，尤其是涉及一種包括有源區以及絕緣結構的半導體裝置。

背景技術

隨著半導體裝置微小化以及集成電路的復雜化，組件的尺寸不斷地減小，結構亦不斷地變化，因此，維持小尺寸半導體組件的效能為目前業界的主要目標。在半導體制作工藝中，多半是在襯底上定義出多個有源區域作為基礎，再于所述有源區域上形成所需組件。一般來說，有源區域為利用光刻及蝕刻等制作工藝在襯底上所形成的多個圖案，但在尺寸微縮的要求下，有源區域的寬度逐漸縮減，而各個有源區域之間的間距也漸縮小，使得其制作工藝也面臨許多限制與挑戰，以至于無法滿足產品需求。

實用新型內容

本實用新型之一目的在于提供一種半導體裝置及其形成方法，其有源區包括有源鰭片以及設置于所述有源鰭片兩側且包括不同材質的有源端部。藉此，可改善所述有源區的延伸范圍，確保存儲接觸插塞結構(storage node contact，SNC)可與所述有源區直接且穩定的接觸。在此設置下，所述存儲接觸插塞結構的設置可具有較為優化的結構穩定性，進而提升本實用新型之半導體裝置的元件效能。

為達上述目的，本實用新型之一實施例提供一種半導體裝置，包括襯底、有源區、以及絕緣結構。所述有源區相互平行且相互分隔地定義在所述襯底內，各所述有源區包括有源鰭片以及設置于所述有源鰭片兩側的有源端部，所述有源鰭片以及所述有源端部分別包括不同的材質。所述絕緣結構設置在所述襯底內，環繞所述有源區。

為達上述目的，本實用新型之一實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包括以下步驟。首先，提供襯底。然后，在所述襯底內形成多個有源區以及絕緣結構，所述絕緣結構環繞所述有源區，其中，各所述有源區包括有源鰭片以及設置于所述有源鰭片兩側的有源端部，所述有源鰭片以及所述有源端部分別包括不同的材質。

附圖說明

圖1至圖7繪示本實用新型第一優選實施例中半導體裝置的制作工藝的示意圖；其中，

圖1為本實用新型的半導體裝置于形成有源單元后的俯視示意圖；

圖2為圖1沿切線A-A’的剖面示意圖；

圖3為本實用新型的半導體裝置于形成開口后的俯視示意圖；

圖4為圖3沿切線A-A’的剖面示意圖；

圖5為本實用新型的半導體裝置于進行外延制作工藝后的剖面示意圖；

圖6為本實用新型的半導體裝置于形成絕緣層后的俯視示意圖；以及

圖7為圖6沿切線A-A’的剖面示意圖。

圖8繪示另一優選實施例中半導體裝置于進行外延制作工藝后的剖面示意圖。

圖9繪示再一優選實施例中半導體裝置于進行外延制作工藝后的剖面示意圖。

圖10繪示本實用新型一優選實施例中半導體裝置的剖面示意圖。

圖11至圖12繪示本實用新型第二優選實施例中半導體裝置的制作工藝的示意圖；其中

圖11為本實用新型的半導體裝置于形成絕緣層后的剖面示意圖；以及

圖12為本實用新型的半導體裝置于進行蝕刻制作工藝后的剖面示意圖。